格罗方德(globalfoundries)将于2014年量产14奈米(nm)方案。为与台积电争抢下一波行动装置晶片制造商机,globalfoundries将率先导入三维鳍式电晶体(3d finfet)架构于14nm制程产品中,预计明年客户即可开始投片,后年则可望大量生产。
globalfoundries全球行销暨业务执行副总裁michael noonen表示,随着行动装置功能日益丰富,消费者对于电池使用寿命的要求亦日趋严苛,促使半导体制程技术须持续向上精进,以利优化系统单晶片(soc )的效能。为实现此一愿景,在新一代14nm制程技术中采用3d finfet架构,可将电流泄漏减到最低,延长电池使用寿命。
noonen进一步指出,相较于现今2d平面式电晶体,3d finfet藉由将导电通路设计于两侧,形成可控制电流流动的闸极环绕的3d鳍状架构,可为行动装置提升40~60%电池使用寿命,再加上14nm制程技术的助力,即可轻松解决行动装置电池电力消耗过快的棘手挑战。
有鉴于此,globalfoundries下一代制程技术--14nm-xm即采用3d finfet架构,并可运用该公司即将量产的20nm-lpm制程技术的矽智财(ip),让想利用finfet soc优势的ic设计商能以最快的速度从20nm无缝转移至14nm。
据了解,目前globalfoundries已快马加鞭展开14nm-xm技术研发工作,除开始提供制程设计套件(pdk)外,矽晶片也已在纽约萨拉托加郡的晶圆八厂进行测试中,明年将可进行投片试产,后年则进入量产阶段,成为各大晶圆代工厂中,率先于14nm量产时程竞赛中达阵的业者。
不光是globalfoundries将在下一代制程技术中采用3d finfet,台积电因应未来市场需求,亦于日前变动技术蓝图,将原本下一代14奈米制程改成较符合客户需求的16奈米制程,而此一16奈米制程也将首度导入3d finfet电晶体制程,预计投产时间为2015年。
另一方面,globalfoundries在28奈米产品线的业务拓展亦大有斩获。noonen透露,目前globalfoundries不但已取得许多国际ic设计大厂的订单,且28nm产能利用率正快速攀升中,现阶段月产量可达六~八万片,连同32nm在内,每月总共可提供近三十万片产量,足以满足客户的需求。
尽管globalfoundries在先进制程的量产脚步不断加快,但相较于台积电、三星(samsung)、英特尔(intel)等竞争对手纷纷入股艾司摩尔(asml),以布局未来18寸晶圆商机,globalfoundries则显得略为保守。noonen对此指出,18寸晶圆是否符合未来半导体制造成本仍是未定之数,globalfoundries会藉由寻求合作机会进行仔细评估,并且持续密切关注产业最新动态与市场需求。
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