R课堂 | 漏极和源极之间产生的浪涌

本文的关键要点
  ・漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和mosfet寄生电容的谐振引起的。
・在实际的版图设计中,很多情况下无法设计出可将线路电感降至最低的布局,此时,尽可能在开关器件的附近配备缓冲电路来降低线路电感,这是非常重要的。
首先,为您介绍sic mosfet功率转换电路中,发生在漏极和源极之间的浪涌。
· 漏极和源极之间产生的浪涌
· 缓冲电路的种类和选择
· c缓冲电路的设计
· rc缓冲电路的设计
· 放电型rcd缓冲电路的设计
· 非放电型rcd缓冲电路的设计
· 封装引起的浪涌差异
sic mosfet的漏极
和源极之间产生的浪涌
开关导通时,线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能(电流能量)。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时,就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构,在high side(以下简称hs)和low side(以下简称ls)之间连接了一个开关器件,该图是ls导通,电路中存在开关电流imain的情形。通常,该imain从vsw流入,通过线路电感lmain流动。
图1:产生关断浪涌时的振铃电流路径
接下来,ls关断时,流向lmain的imain一般是通过连在输入电源hvdc和pgnd之间的大容量电容cdclink,经由hs和ls的寄生电容,按照虚线所示路径流动。此时,在ls的漏极和源极之间,lmain和sic mosfet的寄生电容coss(cds+cdg)就会产生谐振现象,漏极和源极之间就会产生浪涌。如果用vds_surge表示施加在hvdc引脚的电压,用roff表示mosfet关断时的电阻,则该浪涌的最大值vhvdc可以用下述公式表示(*1)。
图2是使用sic mosfet sct2080ke进行测试时关断时的浪涌波形。当给hvdc施加800v的电压时,可以算出vds_surge为961v,振铃频率约为33mhz。利用公式(1),根据该波形,可以算出lmain约为110nh。
图2:关断浪涌波形
再接下来,增加一个图3所示的缓冲电路csnb,实质性地去掉lmain后,其关断浪涌的波形如图4所示。
图3:c缓冲电路
图4:通过c缓冲电路降低关断浪涌
可以看到,增加该csnb之后,浪涌电压降低50v以上(约901v),振铃频率也变得更高,达到44.6mhz,而且包括csnb在内,整个电路中的lmain变得更小。
同样,利用公式(1)计算lmain,其结果由原来的110nh左右降低至71nh左右。原本,最好是在进行版图设计时,将线路电感控制在最低水平。但是,在实际设计过程中,往往会优先考虑器件的散热设计,所以线路并不一定能够按照理想进行设计。
在这种情况下,其对策方案之一就是尽可能在开关器件附近配置缓冲电路,使之形成旁路电路。这样既可以将线路电感这一引发浪涌的根源降至最低,还可以吸收已经降至最低的线路电感中积蓄的能量。然后,通过对开关器件的电压进行钳制,就可以降低关断浪涌。
*1:“开关转换器基础”p95-p107,p95~p107 作者:原田耕介、二宫保、顾文建,出版社:corona publishing co., ltd. 1992年2月
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漏极和源极之间产生的浪涌
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· 封装引起的浪涌差异
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