NPN型晶体管的伏安特性解析
伏安特性是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。 那么npn型晶体管的伏安特性增模描述呢? 晶体管有三个引脚，因此需用通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，这两个伏安特性分别为输入伏安特性和输出伏安特性。
晶体管输入伏安特性是指基极电流ib与发射极电压ube之间的关系，但是这种关系受到集电极电压uce的影响。
将晶体管按照图1连接，将uce设为5v，改变ube，测量基极电流ib，则可以得到基极电流ib与ube的关系，为图2所示的一根曲线。 将uce从5v开始降低电压值，每次降低1v，可得到多根曲线。 仔细观察发现，除uce=0v 比较特殊之外，其余的曲线基本上是重合的-----称为簇线。
这一簇重合线，就是晶体管输入伏安特性; 晶体管在大多数情况下，都是工作在uce>0v的情况下。 这一簇曲线可以用以下表达式近似描述：
其中，ut被称为热电压，是一个与绝对温度成正比的值，在27℃时约为26mv.is称为反相饱和电流，每个晶体管具有不同的值，当ube趋于负无穷时，ib趋于-is，当发射极电压ube远大于ut时，以上公式近似为一个指数表达式。 当ube>0.7v，晶体管的ib开始呈现明显的电流。
晶体管输出伏安特性是指一个确定的基极电流ib下，集电极电流ic与uce之间的关系。
按照图3 连接晶体管，理论上晶体管集电极电流ic与基极电流ib成正比，与施加在集电极和发射极之间的电压无关，npn晶体管理想的输出伏安特性如图4.但是现实中的输出伏安特性如图5.
说明：
1) 放大区：图5中标注的中心空白区域，在此区域内，晶体管集电极电流ic几乎不受uce控制，近似与ib成正比关系，满足公式 ic=ib。 在放大区集电极电流ic等于基极电流ib的倍，与uce无关。
2) 饱和区：图5中标注的竖线区域，在此区域内，ic随着电压uce增大而增加，一般认为当uce
3) 截止区：当ib=0时，ic并不为0 ，而是村在与uce相关的漏电流，当ib=0的区域为截止区。
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2) 饱和区：图5中标注的竖线区域，在此区域内，ic随着电压uce增大而增加，一般认为当uce
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