InSense有望颠覆惯性MEMS产业格局
insense即将问世的10轴单芯片惯性（运动）mems传感器，包括3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器据麦姆斯咨询报道，insense（盈感电子科技）是一家总部位于美国硅谷的mems创业公司，专注于加速度计、陀螺仪等新一代惯性mems传感器的开发和量产。insense创始人源自美国斯坦福大学和英特尔（intel），在mems器件和工艺开发方面深耕多年。insense的mems技术具有颠覆现有惯性传感器产品的创新性，相比传统硅mems器件在性能上有极大地提高，同时成本获得了大幅降低。
其早期mems传感器原型产品在斯坦福mems纳米制造实验室开发。目前，insense已经获得了三家机构的风险投资，投资方包括new enterprise associates（全球第一大vc）、walden international（华登国际）和斯坦福基金。现在，mems器件已经广泛应用于消费类电子产品和汽车产业。市场对于集成多用元件的需求正在高速增长，分立式mems器件市场开始放缓。在组合式mems应用中，多个mems器件被集成于单个芯片，例如多自由度惯性传感器，这些微机械加工的mems结构（比如加速度计、陀螺仪以及磁力计）全部集成在同一个封装体内,以获得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗，因此，这些对单芯片集成提出了新的要求。然而，目前上述惯性传感器芯片集成通常以混合方式实现，其中含有多颗mems芯片和asic芯片，这些芯片单独制造并组装以形成所需的产品。
由于集成是在器件级而非晶圆级上进行，这种方案的相关成本通常很高。此外，由于需要许多层布线和键合，因而使得器件整体尺寸较大。这些瓶颈可以由在cmos衬底上直接制造mems器件来解决。不过，硅是目前制造mems 器件的主要材料，其沉积与cmos衬底的所需热预算（thermal budget）不兼容，cmos衬底无法承受任何高于450℃的工艺温度。insense的专利技术通过使用电镀铜（electroplated copper，e-cu）作为结构材料，在低于 450℃下直接沉积在asic互连层上形成mems结构，以单片方式提供了晶圆级集成。随后的微制造步骤限定固定到金属互连体的mems器件，从而提供直接电气接触。使用目前用于asic金属互连的e-cu作为结构材料，可以实现更容易的布线，得益于铜的高密度可以实现优化的机械结构和更小的尺寸。并且由于不需要晶圆键合，因此器件成本更低，可以在单个芯片上集成多个传感器。此外，更小的寄生效应，可以提供低噪声和更高的性能。
insense发明专利中的一个实施例，通过asic互连层上的直接工艺在cmos衬底上进行直接制造insense这项技术曾于2016年获得美国国家科学基金会（nsf）给予的749,942美元项目（sbir）支持，该项目已经进入第二阶段。从nsf官方给出的信息看到，该项目的首席调查员（principal investigator）是insense董事长兼首席执行官（ceo）：noureddine tayebi。
insense获得美国国家科学基金会的项目支持
insense董事长兼首席执行官noureddine tayebiinsense为其创新技术在美国、欧洲和中国都申请了发明专利，其专利技术有望颠覆目前的惯性mems产业格局。insense近日展示的10轴单芯片惯性（运动）mems传感器（3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器）目前正在专业代工厂调试，预计将于2019年问世，让我们一起拭目以待！
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其早期mems传感器原型产品在斯坦福mems纳米制造实验室开发。目前，insense已经获得了三家机构的风险投资，投资方包括new enterprise associates（全球第一大vc）、walden international（华登国际）和斯坦福基金。现在，mems器件已经广泛应用于消费类电子产品和汽车产业。市场对于集成多用元件的需求正在高速增长，分立式mems器件市场开始放缓。在组合式mems应用中，多个mems器件被集成于单个芯片，例如多自由度惯性传感器，这些微机械加工的mems结构（比如加速度计、陀螺仪以及磁力计）全部集成在同一个封装体内,以获得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗，因此，这些对单芯片集成提出了新的要求。然而，目前上述惯性传感器芯片集成通常以混合方式实现，其中含有多颗mems芯片和asic芯片，这些芯片单独制造并组装以形成所需的产品。
由于集成是在器件级而非晶圆级上进行，这种方案的相关成本通常很高。此外，由于需要许多层布线和键合，因而使得器件整体尺寸较大。这些瓶颈可以由在cmos衬底上直接制造mems器件来解决。不过，硅是目前制造mems 器件的主要材料，其沉积与cmos衬底的所需热预算（thermal budget）不兼容，cmos衬底无法承受任何高于450℃的工艺温度。insense的专利技术通过使用电镀铜（electroplated copper，e-cu）作为结构材料，在低于 450℃下直接沉积在asic互连层上形成mems结构，以单片方式提供了晶圆级集成。随后的微制造步骤限定固定到金属互连体的mems器件，从而提供直接电气接触。使用目前用于asic金属互连的e-cu作为结构材料，可以实现更容易的布线，得益于铜的高密度可以实现优化的机械结构和更小的尺寸。并且由于不需要晶圆键合，因此器件成本更低，可以在单个芯片上集成多个传感器。此外，更小的寄生效应，可以提供低噪声和更高的性能。
insense发明专利中的一个实施例，通过asic互连层上的直接工艺在cmos衬底上进行直接制造insense这项技术曾于2016年获得美国国家科学基金会（nsf）给予的749,942美元项目（sbir）支持，该项目已经进入第二阶段。从nsf官方给出的信息看到，该项目的首席调查员（principal investigator）是insense董事长兼首席执行官（ceo）：noureddine tayebi。
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insense董事长兼首席执行官noureddine tayebiinsense为其创新技术在美国、欧洲和中国都申请了发明专利，其专利技术有望颠覆目前的惯性mems产业格局。insense近日展示的10轴单芯片惯性（运动）mems传感器（3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器）目前正在专业代工厂调试，预计将于2019年问世，让我们一起拭目以待！
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