高K介质（High-k Dielectric)和替代金属栅(RMG)工艺介绍
高k介质 （high-k dielectric)和替代金属栅 (rmg)工艺
2007年，intel 公司宣布在 45nm cmos 工艺节点上成功地使用高k氧化铪基(hf-oxide based）介质和金属栅工艺，可以显著减少栅介质泄漏电流和增加栅导电能力。
但高k氧化铪基栅介质较易被源漏退火步骤的热过程引起结晶化，导致较大的泄漏电流，因此高k介质金属栅模块工艺需要在源漏之后再形成，这被称为后栅（gate last）工艺或替代金属栅 ( replacement metal gate, rmg)工艺，如图所示。
因此，高k介质（如 hfo2、hfsiox、hfsion)和金属栅(如tin、tial、al 或w等）模块便成为 32nm/28nmn 和更先进节点上的标准配备；后栅工艺或替代金属栅工艺也成为产业界先进 cmos 工艺节点（28nm 节点之后）采用的主流工艺方案。
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