mram是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。mram具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与sram的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。everspin mram可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得mram适用于汽车,工业,军事和太空应用。everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
下面介绍everspin aec认证的汽车应用mram
mram非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本,以全总线速度保存数据,意外断电后立即恢复状态,提供aec q-100合格的1级(-40 / 125°c)和3级(-40 / 85°c),保护有价值的数据并降低成本mram内存是保留宝贵的车辆数据,简化设计并降低bom成本的最佳解决方案。
保护宝贵数据的最佳解决方案
•不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容器
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件,始终保持非易失性
简化并降低bom成本
•无限的耐用性,可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性,数据保持温度》 20年
•不需要电容器,电池或缓冲液
最大化控制系统的数据访问
mram在保持非易失性的同时最大化数据收集率
由于较长的读/写周期,耐用性限制而导致数据丢失
无遗漏数据,写入速度与sram一样快,非易失性,无磨损,电源故障期间无数据丢失。mram像sram一样是快速写入的,而像flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到mram,并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
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