人体放电模式(human-body model, hbm)产生的esd是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到ic时,人体上的静电便会经由电子元器件而进入电子元器件内,再经由电子元器件放电到地去,如图1(a)所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流,此电流会把电子元器件内的元件烧毁。 不同hbm静电电压相对产 生的瞬间放电电流与时间的关系见于图1(b)。对一般商用ic的2-kv esd放电电压而言,其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。图1(b)在不同hbm静电电压下,其静电放电之电流与时间的关系“。
有关于hbm的esd已有工业测试的标准,为现今各国用来判断ic之esd可靠度的重要依据。图2显示此工业标准(mil-std-883c method 3015.7)的等效电路图,其中人体的等效电容定为100pf,人体的等效放电电阻定为1.5k ω。另 \外在国际电子工业标准(eia/jedec standard)中,亦对 此人体放电模式订定测试规范(eia/jesd22-a114-a),详细情形请参阅该工业标准。
表1人体放电模式(hbm)的工业标准测试等效电路及其耐压能力等级分类
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