一文解析MOSFET与IGBT优劣
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率，及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率零组件。
基本上，功率半导体大致可分为功率离散元件 (power discrete) 与功率积体电路 (power ic) 二大类，其中，功率离散元件产品包括 mosfet、二极体，及 igbt，当中又以 mosfet 与 igbt 最为重要。 mosfet、igbt 主要用于将发电设备所产生电压和频率杂乱不一的电流，透过 一系列的转换调製变成拥有特定电能参数的电流，以供应各类终端电子设备，成为电子电力变化装置的核心元件之一。 而全球功率半导体市场中，用于工业控制比重最高，达 34%，其次是汽车及通讯领域各占 23%，消费电子则占 20%。
mosfet 与 igbt 各具优劣
mosfet 依内部结构不同，可达到的电流也不同，一般大到上 ka 也是可行，但 mosfet 耐电压能力没有 igbt 强。 而 mosfet 优势在于可以适用高频领域，mosfet 工作频率可以适用在从几百 khz 到几十 mhz 的射频产品。而 igbt 到达 100khz 几乎是最佳工作极限。 最后，若当电子元件需要进行高速开关动作，mosfet 则有绝对的优势，主要在于 igbt 因有整合 bjt，而 bjt 本身存在电荷存储时间问题，也就是在 off 时需耗费较长时间，导致无法进行高速开关动作。 所以综合来看，mosfet 适用在携带型的充电电池领域，或是行动装置中。至于 igbt 则适用在高电压、大功率的设备，如电动马达、汽车动力电池等。
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