半导体科普：晶体管形成区域
晶体管是在硅晶片的表面附近形成晶。
为保证每个晶体管的独立运行，需要阻止与之相邻的晶体管的干扰。因此，晶体管的形成区域是相互隔离的。实现这样的元件隔离的方法有好几种。
在这里我们介绍的是一种叫做 sti（shallow trench isolation）的技术，三重富士通用6张图为大家解释了该技术。
6 个步骤解密 sti 技术！
氧化+氮化膜生长
首先通过氧化硅晶片形成氧化硅膜，接着利用cvd法形成氮化硅膜。
抗蚀剂图案形成
形成了一个抗蚀剂图案。
浅沟槽形成
将抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻氮化硅膜、氧化硅膜、硅晶片以切割浅沟槽。当浅沟槽被切割之后，去除抗蚀剂图案。
埋氧膜生长
使用cvd法形成厚氧化硅膜以填充沟槽。
埋氧膜抛光
抛光表面去除多余氧化硅膜，使氧化硅膜仅留在沟槽内部。
除氮化膜
通过化学处理去除氮化硅膜。
关于三重富士通半导体
三重富士通半导体是于2014年12月，承接富士通半导体的三重工厂300mm生产线及相关设施而新诞生的代工专业公司，是一家拥有汽车制造质量等级的晶圆厂。如今，是日本最大规模的90nm到40nm的逻辑晶圆代工工厂，同时也是日本为数不多的 300mm晶圆代工工厂之一。
三重富士通半导体致力于依靠 ddc 晶体管实现最高级“超低功耗制程”及“内存嵌入系统”的平台构建，并不断推进rf 以及毫米波技术的研发，以满足车载及 iot 的市场需求。
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