全球领先的日本uv led制造商nitride semiconductors将于11月1日公布成立全资子公司micro nitride co., ltd. 该公司将专注用于micro led显示屏的micro uv led芯片的开发、生产和销售。
近年来,以oled为代表的自发光显示器已经被广泛用于智能手机等设备,但由于其寿命短和耐热性等缺陷,行业开始转向micro led显示器的开发。
目前有两种实现micro led显示屏的方法,3基色led采用了红光、蓝光及绿光,蓝光led激发红绿荧光粉和蓝光led成为两大主流技术。
至于3基色led,由于其材料易碎,无法生产μ红色芯片,而且难以安装高密度、且具有不同结构和不同颜色的led芯片。它们的电流和电压、反应速度都不同,因此很难实现对每个芯片的控制。
μblue led激发方法可以将所有安装好的led芯片集成到μ蓝光led中,因此安装难度会降低,电流和电压也可以得到统一。但蓝光led是发光产生的,而红光和绿光led是激发产生的,因此存在反应速度的时间滞后。此外,由于蓝光激发导致红光led和绿光led的亮度较低,所以就会出现另外一个问题---颜色再现性较差。
μuv-led + rgb荧光粉则可以解决上述问题。
nitride semiconductors公司发现制造具备p层和n层sls结构的μuv-led芯片,发光效率加倍。(专利申请中)
原因在于,由于扩散电流的距离短,发光复合率增加,内部量子效率提高,从发光层到外部的距离变短,从而提高了外部量子效率。
micro uv-led晶元
micro uv-led芯片
紫外光图像
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