中国上海,2023年6月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的tk055u60z1,进一步扩充了n沟道功率mosfet系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600v,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝dtmosvi系列中的首款600v产品,于今日开始批量出货。
通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的dtmosiv-h系列产品相比,600v dtmosvi系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(mosfet性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用toll封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强mosfet的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。
未来,东芝将继续扩展600v dtmosvi系列产品线,以及已发布的650v dtmosvi系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。
图1:漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较
应用
- 数据中心(服务器开关电源等)
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特性
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷,有助于提高开关电源的效率
主要规格
(除非另有说明,ta=25℃)
器件型号 tk055u60z1
绝对最大
值 漏极-源极电压vdss(v) 600
漏极电流(dc)id(a) 40
结温tch(℃) 150
电气特性 漏极-源极导通电阻
rds(on)(mω) vgs=10v 最大值 55
总栅极电荷qg(nc) 典型值 65
栅极-漏极电荷qgd(nc) 典型值 15
输入电容ciss(pf) 典型值 3680
封装 名称 toll
尺寸(mm) 典型值 9.9×11.68
厚度=2.3
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注:
[1] 截至2023年6月
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tk055u60z1
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mosfet
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