RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白
一、破局进口品牌垄断
现阶段半导体市场，900v-1500v的超高压mosfet几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列mos管，打破了进口品牌垄断的局面 。
二、产品应用及特点
超高压的器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、dc-dc转换、工业三相智能电表、led照明驱动等辅助电源。
产品特点：
1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；
2.散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小；
3.开关速度较低，具有更好的emi兼容性；
4.产品性能高，可实现国产替代进口。
三、产品型号匹配应用
瑞森半导体超高压mosfet-rs9n90f产品匹配：
可替代国外品牌多个产品型号，如：意法stf9nk90z， on安森美fqpf9n90c。
超高压mosfet-rs9n90f漏源击穿电压高达900v，漏极电流最大值为9a，适用于led照明驱动电源、变频器电源、音响电源等。
rs9n90f的开启延迟典型值为50ns，关断延迟时间典型值为86ns，上升时间65ns，下降时间34ns，反向传输电容4pf，反向恢复时间550ns，正向电压的最大值为1v。其导通阻抗典型值为1.2ω，最大功耗为68w，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55℃到150℃，可适用于大部分环境。
瑞森半导体超高压mosfet-rs3n150f产品匹配：
n沟道mosfet--rs3n150f漏源击穿电压高达1500v，漏极电流最大值为3a，适用于逆变器、工业三相智能电表、dc-dc转换等，可以替代3n150等型号参数的场效应管。例如，在工业三相智能电表上主要运用ac 380v变频器反激式辅助电源其特点：
该mos管vds电压1500v，在550v电压上需留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375v，故需要应用到1500v耐压的mos管，而rs3n150f耐压vds电压为1500v满足应用需求；
其导通电阻为典型值5.5ω，可降低导通损耗，降低输入电源功耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为3a，一般辅助电源功率在10几v，电流余量可满足功率需求，同时最大结温为150℃，存储温度范围均为-55℃到150℃，符合工业级温度范围，可完全适用于工业市场。
四、典型应用拓扑图
五、瑞森半导体产品推荐
rs3n150f的vds电压是1500v，完全适合母线电压高达800v的使用场景，并留有足够的防击穿余量，同时瑞森半导体还推荐如下产品选型：
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二、产品应用及特点
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产品特点：
1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；
2.散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小；
3.开关速度较低，具有更好的emi兼容性；
4.产品性能高，可实现国产替代进口。
三、产品型号匹配应用
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可替代国外品牌多个产品型号，如：意法stf9nk90z， on安森美fqpf9n90c。
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四、典型应用拓扑图
五、瑞森半导体产品推荐
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