基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%
基于232层3d tlc nand闪存的美光ufs 4.0模块能效提升25%
此前美光推出了其首个ufs 4.0移动存储解决方案，采用了232层3d tlc nand闪存；速度提升很大，可以达到最高4300 mb/s的顺序读取速度和最高4000 mb/s的顺序写入速度。这也是首个使用六平面nand架构的ufs 4.0存储产品，号称可以给智能手机提供更强性能。
美光新一代的ufs 4.0模块能够比上一代提升 25% 的能效。而且美光 ufs 4.0 存储模块使用两个 m-phy gear 5 通道进行数据传输，支持诸如 data stream separation、auto read burst 和 eye monitoring 等专有固件功能。
而且美光计划在2023年下半年开始批量生产ufs 4.0存储产品，分别为256gb、512gb和1tb。
另外，我们看到在2022年5月4日三星公布了 ufs（通用闪存）4.0 存储解决方案；而且已获得 jedec（固态技术协会）的通过。三星ufs 4.0 采用三星设计建造的独特控制器，以强大的 176 层第 7 代 v-nand 实现4，200mbps的读取速度，同时通过 mipi m-phy 5.0 保持高达23.2gbps 的数据传输，是 ufs 3.1 的两倍。写入速度也提高了 1.6 倍，达到2，800mbps。
ufs（universal flash storage）是一种用于移动设备和嵌入式系统的闪存存储器标准。ufs 3.1和ufs 4.0是两个不同版本的ufs标准；ufs 4.0相对于ufs 3.1具有更高的数据传输速度、更低的延迟。
ufs 4.0引入了双通道技术，可以同时传输数据，提高了数据传输速度；更低的延迟和更高的数据带宽。ufs 4.0支持高达5.8 gb/s的连续读取速度和高达3.6 gb/s的连续写入速度。同时搭载了lpdc（low power deep check）技术，用于错误检测和修复。
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