Flash存储器Am29F040结构分析
am29f040是amd公司生产的flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。 下面首先介绍am29f040的特点和操作。 am29f040是采用5 v单电源供电的可编程只读存储器，是一种电可擦除与重新编程的器件。该器件由8个独立的64 k字节块组成，访问速度为55~150 ns。片内的状态机控制编程和擦除器件、嵌入式字节编程与区段/芯片擦除功能是全自动的。内部结构框图如图1所示。
a0～a18：地址线。其中a8～a18提供存储区地址， 行地址确定所在扇区;a0～a7选定某扇区的一 个字节，扇区容量是256字节。dq0-dq7：数据输入/输出。在读周期输出数据; 在写周期接收数据。写过程中写入的数据被内 部锁存。ce：输入，芯片使能, 低电平时选中该器件。oe：输入，输出使能, 低电平时打开数据输出缓冲 区，允许读操作we：输入，写使能，低电平时允许写操作。vcc为5v电源。vss为地。 工作方式有读方式、待机方式、输出禁止及算法选择。 例如，对于写操作的编程命令，如表1所列。 其中：ra为被读出的存储单元地址; pa为被编程的存储单元地址; rd为所选地址单元被读出的数据; pd为所选地址单元被编程的数据。 除编程地址、区段地址和读地址之外的所有总线周期地址，地址引脚a18、a17、a16、a15为高或低。 下面以命令表的编程命令为例，简要介绍字节编程。表1所列命令是一个4总线周期指令。首先，在地址5555h写入数据0aah，地址2aaah写入数据055h，再在地址5555h写入数据aoh，最后是编程的地址和数据。 对于芯片擦除功能，自动地提供编程和电擦除之前，校验所有存储单元所需的电压和时序，然后自动擦除并校验单元界限。利用数据轮询(data-polling)特性，可以监视自动芯片擦除操作期间器件的状态，以检验操作是否完成。 程序如下：int chip-erase (){*(int*)0x00005555=0xaaaaaaaa; /*写芯片擦除命令部分*/*(int*)0x00002aaa=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x80808080;*(int)0x00005555=0xaaaaaaaa：*(int*)0x00002aaa=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x10101010;while((*(int)0x00005555&0x80808080)!=0x80808080) /*数据轮询*/ 对于区段擦除暂停，在区段擦除期间擦除暂停有效，数据值为boh，不管地址值。区段擦除恢复，仅在擦除暂停之后擦除有效，数据值为30h，不管地址值。下面是简要的程序代码：int sector- erase(sectadd) int * sectadd;{ *(int*)0x00005555=0xaaaaaaaa; /*写区段擦除命令部分*/ *(int*)0x00002aaa=0x55555555; *(int*)0x00005555=0x80808080; *(int*)0x00005555=0xaaaaaaaa; *(int*)0x00002aaa=0x55555555; *sectadd=0x30303030; 对于数据保护，此特性禁止在1-8个区段的任何组合进行编程和擦除操作。执行编程和擦除被保护区段的命令时，不改变区段内的数据。数据轮询位和跳转位工作在2～100μs，然后返回到有效数据。在地址引脚a9和控制引脚e，使用11.5~12.5 v高电压vid’且在控制引脚e上使用vil将使此特性起作用。其具体操作为：当w为vih’e为vil且地址引脚g为vid时，区段保护方式被激活，地址引脚a18、a17、a16用来选择被保护的区段。一旦地址稳定，w处于脉冲低电平，操作开始于w的下降沿。
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