利用APSYS半导体器件开发出SiC基IGBT计算模型
成果展示：sic基igbt模型（ver.1.0）
作为十四五规划和2035年远景目标中科技前沿领域重点攻关方向，碳化硅（sic）基绝缘栅双极型晶体管（igbt）肩负众望。尽管目前碳化硅功率mosfet的阻断电压已经可以做到10 kv，但作为一种缺乏电导调制的单极性器件，进一步提高阻断电压将会面临通态电阻升高的问题。理论计算表明，20 kv的碳化硅功率mosfet需要制备厚度超过172 μm的漂移区，则其通态特征电阻将会显著增大，可超过245 mω·cm2。因此实现高压大电流功率器件（>7kv，>100a）的希望寄托于既能利用电导调制效应降低通态压降又能利用mos栅降低开关功耗、提高工作频率的sic基igbt上。
我司技术团队利用apsys半导体器件设计平台开发出了sic基igbt计算模型(ver.1.0)，可以得到输入输出特性曲线及正反向击穿电压等各种电学特性。此模型可直观展示sic基igbt器件内部工作原理，为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对于研发高性能的sic基igbt有着重要的指导意义。
图 sic基igbt输入输出特性曲线（左）正反向击穿特性（右）
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