Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采

vishay推出第三代trenchfet功率mosfet,采用turbofet技术
日前,vishay intertechnology推出两款 20v 和两款 30v n 通道器件,从而扩展其第三代 trenchfet 功率mosfet 系列。这些器件首次采用 turbofet 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%,从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
这次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp,其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak 1212-8 封装,可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 sis426dn 而言,直流到直流转换器中针对 mosfet 的此关键优值 (fom) 在 4.5v 时为 76.6 m-nc,而在 10 v 时为 117.60 m-nc;它在 4.5v 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nc,在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比,这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%,fom 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换,尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作,从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay 的 30v turbofet 系列包括采用 powerpak 1212-8 封装的新型 si7718dn 和采用 powerpak so-8 封装的 si7784dp。两款 mosfet 在 4.5v 和 10v 时典型栅极电荷分别为 13.7 nc 和 30 nc,且在 4.5v 和 10v 时导通电阻与栅极电荷乘积 fom 分别为 112.34 m-nc 和 180 m-nc。采用 powerpak so-8 封装的 20v sis426dn 器件 sir496dp 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素,且 100% 通过 rg 和 uis 测试。 这些器件将在同步降压转换器中用作高端 mosfet,通过使用负载点 (pol) 功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (vrm)、服务器及其他系统的功耗。 器件规格表:
目前,采用 turbofet 技术的第三代功率 mosfet 可提供样品,并已实现量产,大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。

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