SK海力士推出新型DRAM 号称创下业内单芯最大密度记录
sk 海力士最近又研发出了新型 dram 工艺，号称创下业内单芯最大密度记录。
sk 海力士公司宣布，其已成功开发出 1znm 16gb ddr4 动态随机存储器（dram），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（euv）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
此外，新型 1z nm dram 还支持高达 ddr4-3200 的数据传输速率。与使用 1y nm 工艺打造、基于 8gb dram 制成的同容量模块相比，其能耗更是降低了 40% 。
值得一提的是，sk hynix 引入了上一代制造工艺中未引入的新材料，从而最大限度地提升了 1z nm 产品的电容。
作为 dram 运行的关键要素，其决定了内存可存储的电荷量，且新设计能够提升操作的稳定性。
sk hynix dram 开发与业务负责人 lee jung-hoon 表示：
1z nm ddr4 dram 具有业界最高的密度、速度和能效优势，使之成为追求高性能、高密度 dram 客户适应不断变化需求的最佳选择。
sk hynix 将于明年开始量产并全面交付，以积极响应市场需求。
最后，sk hynix 计划将 1znm 工艺扩展到各种应用，如下一代 lpddr5 移动 dram、以及更快的 hbm3 显存上。
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