三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds？
mosfet和三极管，在on 状态时，mosfet通常用rds，三极管通常用饱和vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和rce，而mosfet用饱和vds呢？
三极管on状态时工作于饱和区，导通电流ice主要由ib与vce决定，由于三极管的基极驱动电流ib一般不能保持恒定，因而ice就不能简单的仅 由vce来决定，即不能采用饱和rce来表示（因rce会变化）。由于饱和状态下vce较小，所以三极管一般用饱和vce表示。
mos管在on状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流ids由vgs和vds决定，但mos管的驱动电压vgs一般可保持不变，因而ids可仅受vds影响，即在vgs固定的情况下，导通阻抗rds基本保持不变，所以mos管采用rds方式。
电流可以双向流过 mosfet的d和s ，正是mosfet这个突出的优点，让同步整流中没有dcm的概念，能量可以从输入传递到输出，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
接下来我们往深入一点来进行讨论，点、mos的d和s既然可以互换，那为什么又定义ds呢？
对于ic内部的mos管，制造时肯定是完全对称的，定义d和s的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。
第二点、既然定义d和s，它们到底有何区别呢？
对于功率mos，有时候会因为特殊的应用，比如耐压或者别的目的，在nmos的d端做一个轻掺杂区耐压，此时d，s会有不同。
第三点、d和s互换之后，mos表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压vds。
ds互换后，当vgs=0时，只要vds》0.7v管子也可以导通，而换之前不能。当vgs》vth时，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同。
d和s的确定
我们只是说电流可以从d--to--s ，也可以从s----to---d。但是并不意味着：d和s 这两个端子的名字可以互换。
ds沟道的宽度是靠gs电压控制的。当g固定了，谁是s就确定了。
如果将上面确定为s端的，认为是d。
将原来是d的认为是s ，并且给g和这个s施加电压，结果沟道并不变化，仍然是关闭的。
当vgs没有到达vth之前，通过驱动电阻r对cgs充电，这个阶段的模型就是简单的rc充电过程。
当vgs充到vth之后，ds导电沟道开始开启，vd开始剧烈下降。按照i=c*dv/dt ，寄生电容cgd有电流流过 方向：g --》d 。按照g接点kcl igd电流将分流ir，大部分驱动电流转向igd，留下小部分继续流到cgs。因此，vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台。
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mos管在on状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流ids由vgs和vds决定，但mos管的驱动电压vgs一般可保持不变，因而ids可仅受vds影响，即在vgs固定的情况下，导通阻抗rds基本保持不变，所以mos管采用rds方式。
电流可以双向流过 mosfet的d和s ，正是mosfet这个突出的优点，让同步整流中没有dcm的概念，能量可以从输入传递到输出，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
接下来我们往深入一点来进行讨论，点、mos的d和s既然可以互换，那为什么又定义ds呢？
对于ic内部的mos管，制造时肯定是完全对称的，定义d和s的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。
第二点、既然定义d和s，它们到底有何区别呢？
对于功率mos，有时候会因为特殊的应用，比如耐压或者别的目的，在nmos的d端做一个轻掺杂区耐压，此时d，s会有不同。
第三点、d和s互换之后，mos表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压vds。
ds互换后，当vgs=0时，只要vds》0.7v管子也可以导通，而换之前不能。当vgs》vth时，反型层沟道已形成，互换后两者特性相同。
d和s的确定
我们只是说电流可以从d--to--s ，也可以从s----to---d。但是并不意味着：d和s 这两个端子的名字可以互换。
ds沟道的宽度是靠gs电压控制的。当g固定了，谁是s就确定了。
如果将上面确定为s端的，认为是d。
将原来是d的认为是s ，并且给g和这个s施加电压，结果沟道并不变化，仍然是关闭的。
当vgs没有到达vth之前，通过驱动电阻r对cgs充电，这个阶段的模型就是简单的rc充电过程。
当vgs充到vth之后，ds导电沟道开始开启，vd开始剧烈下降。按照i=c*dv/dt ，寄生电容cgd有电流流过 方向：g --》d 。按照g接点kcl igd电流将分流ir，大部分驱动电流转向igd，留下小部分继续流到cgs。因此，vgs出现较平坦变化的一小段。这就是miler平台。
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