基于NP60P012D3的12V p通道增强模式MOSFET
描述
np60p012d3采用了先进的战壕提供优良的rds(on)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。
一般特征
vds = -12v, id = -60a rds(上)(typ) = 4.8ω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 6.3ω@vgs = -2.5 v
高密度电池设计超低rdson 充分描述雪崩电压和电流 稳定性好，均匀性好，eas高 优秀的包装，良好的散热 高esd能力的特殊工艺技术 100% ui测试 应用程序 汽车应用程序 硬开关和高频电路 不间断电源包 pdfn3.3 8 * 3.3 l 电特性(除非另有说明，ta=25℃)
注:1:东亚峰会测试:vdd = 8 v, rg = 25欧姆,l = 500哦
2:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
3:设计保证，不经生产检验。
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