东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型s-togltm（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与u-mos ix-h工艺芯片的车载40v n沟道功率mosfet——“xpjr6604pb”和“xpj1r004pb”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率mosfet。
xpjr6604pb和xpj1r004pb采用东芝的新型s-togltm封装（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝to-220sm（w）封装产品[2]相比，s-togltm封装与东芝u-mos ix-h工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与to-220sm（w）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200a漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的dpak＋封装（6.5mm×9.5mm[1]）产品，从而实现了大电流。总体而言，s-togltm封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。
由于汽车设备可能在极端温度环境下工作，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。s-togltm封装采用鸥翼式引脚，可降低表贴应力，提高焊点的可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。
东芝将继续扩展其功率半导体产品线，并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。
应用
- 汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
特性
- 新型s-togltm封装：7.0mm×8.44mm（典型值）
- 高额定漏极电流：
xpjr6604pb：id＝200a
xpj1r004pb：id＝160a
- aec-q101认证
- 提供iatf 16949/ppap[4]
- 低导通电阻：
xpjr6604pb：rds(on)＝0.53mΩ（典型值）（vgs＝10v）
xpj1r004pb：rds(on)＝0.8mΩ（典型值）（vgs＝10v）
主要规格
注：
[1] 典型封装尺寸，包括引脚。
[2] tkr74f04pb采用to-220sm（w）封装。
[3] 东芝可以提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4v。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
[4] 请联系东芝销售代表了解更多信息。
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xpjr6604pb和xpj1r004pb采用东芝的新型s-togltm封装（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝to-220sm（w）封装产品[2]相比，s-togltm封装与东芝u-mos ix-h工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与to-220sm（w）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200a漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的dpak＋封装（6.5mm×9.5mm[1]）产品，从而实现了大电流。总体而言，s-togltm封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。
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当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。
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- 新型s-togltm封装：7.0mm×8.44mm（典型值）
- 高额定漏极电流：
xpjr6604pb：id＝200a
xpj1r004pb：id＝160a
- aec-q101认证
- 提供iatf 16949/ppap[4]
- 低导通电阻：
xpjr6604pb：rds(on)＝0.53mΩ（典型值）（vgs＝10v）
xpj1r004pb：rds(on)＝0.8mΩ（典型值）（vgs＝10v）
主要规格
注：
[1] 典型封装尺寸，包括引脚。
[2] tkr74f04pb采用to-220sm（w）封装。
[3] 东芝可以提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4v。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
[4] 请联系东芝销售代表了解更多信息。
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