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三星推出容量达1Tb的V-NAND单晶粒
在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代v-nand单晶粒,容量高达1tb,用于消费级产品。
三星表示,今后的2tb 3d闪存ssd产品将使用上这一新品,即一整颗芯片封装16tb die,继续减小体积。
如此精巧之后,连传统m.2 2242(ngff)的电路板型都用不到了,三星据此提出了next generation small form factor (ngsff) 标准。
其中单面16tb的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm,当然这是极大值的情况。
按照三星的演示,典型的服务器可以塞入36张单面16tb ngsff ssd,总存储容量达到576tb。
当然,相较技术、容量本身的进步,用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把ssd的价格降回去吧。
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