高频逆变器后级电路图
高频逆变器后级电路图一： 中c1，c2分别是q1，q2的gd结电容，左边上下两个波形分别是q1，q2的栅极驱动波形。我们先从t1-t2死区时刻开始分析，从图中可以看出这段时间为死区时间，也就是说这段时间内两管都不导通，半桥中点电压为母线电压的一半，也就是说c1，c2充电也是母线电压的一半。当驱动信号运行到t2时刻时，q1的栅极变为高电平，q1开始导通，半桥中点的电位急剧上升，c2通过母线电压充电，充电电流通过驱动电阻rg和驱动电路放电管q4，这个充电电流会在驱动电阻rg和驱动电路放电管q4上产生一个毛刺电压，请看图中t2时刻那条红色的竖线。如果这个毛刺电压的幅值超过了q2的开启电压qth，半桥的上下两管就共通了。有时候上下两管轻微共通并不一定会炸管，但会造成功率管发热，在母线上用示波器观察也会看到很明显的干扰毛刺。只有共通比较严重的时候才会炸管。还有一个特性就是母线电压越高毛刺电压也越高，也越会引起炸管。
高频逆变器后级电路图二： 13脚的逻辑地和2脚的驱动地在布线时要分开来走，逻辑地一般要接到5v滤波电容的负端，再到高压滤波电容的负端，驱动地一般要接到12-15v驱动电源的滤波电容的负端，再到两个低端高压mos管中较远的那个mos的源极。如下图：
在正弦波逆变器中因为载波的频率较高，母线电压也较高，自举二极管要使用高频高压的二极管。因为载波占空比接近100%，自举电容的容量要按照基波计算，一般需要取到47-100uf，最好并一个小的高频电容。 高频逆变器后级电路图三：
图1电路中，由芯片ic1及其外围电路、三极管vt1、vt3、mos功率管vt2、vt4以及变压器t1组成12v直流变换为220v/50khz交流 的逆变电路。由芯片ic2及其外围电路、三极管vt5、vt8、mos功率管vt6、vt7、vt9、vt10以及220v/50khz整流、滤波电路 vd5－vd8、c12等共同组成220v/50khz高频交流电变换为220v/50hz工频交流电的转换电路，最后通过xac插座输出220v /50hz交流电供各种便携式电器使用。图1中ic1、ic2采用了tl494cn（或 ka7500c）芯片，构成车载逆变器的核心控制电路。tl494cn是专用的双端式开关电源控制芯片，其尾缀字母cn表示芯片的封装外形为双列直插式塑 封结构，工作温度范围为0℃-70℃，极限工作电源电压为7v～40v，最高工作频率为300khz。 高频逆变器后级电路图四：
图1电路中ic1的15脚外围电路的r1、c1组成上电软启动电路。上电时电容c1两端的电压由0v逐步升高，只有当c1两端电压达到5v以上时，才允许ic1内部的脉宽调制电路开始工作。当电源断电后，c1通过电阻r2放电，保证下次上电时的软启动电路正常工作。 ic1的15脚外围电路的r1、rt、r2组成过热保护电路，rt为正温度系数热敏电阻，常温阻值可在150ω～300ω范围内任选，适当选大些可提高过热保护电路启动的灵敏度。
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