三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品
新品发布
三菱电机开始提供工业设备用
nx封装全sic功率半导体模块样品
通过降低内部电感和搭载sic芯片
为工业设备的高效率、小型化、轻量化做出贡献
工业设备用nx封装全sic功率半导体模块
三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用nx封装全sic功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代sic芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合。其中，对于能够显著降低功率损耗的sic功率半导体的期望越来越高。大功率、高效率功率半导体能够提高工业设备（逆变器等部件）的功率转换效率，其需求正在不断扩大。
三菱电机于2010年开始推出搭载sic芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗sic芯片和优化的内部结构，与现有的si igbt模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显著降低了功率损耗。
该sic产品的开发得到了日本新能源·产业技术综合开发机构(nedo)的部分支持。
产 品 特 点
优化的内部结构并采用sic芯片，有助于实现设备的高效率、小型化、轻量化
内部连接采用优化的叠层结构，实现了9nh的内部杂散电感，比现有igbt模块降低约47%；
通过降低内部杂散电感，抑制设备的浪涌电压，实现高速开关的同时降低开关损耗；
采用 jfet掺杂技术*2的第二代sic芯片具有低损耗特性，与现有si igbt模块相比，功率损耗降低约72%*1，有助于提高设备效率；
低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量更轻的散热器。
兼容的nx型封装，si模块和sic模块可以轻松替换
在搭载sic芯片的同时，在外形尺寸和管脚配置等方面维持了nx型封装的兼容性，便于轻松替换，有助于缩短新设备设计时间。
未 来 发 展
三菱电机将继续扩大其功率半导体模块产品线，进一步为工业设备的高效率、小型化、轻量化做出贡献。
主 要 规 格
型号 fmf600dxe-34bn
额定电压 1700v
额定电流 600a
绝缘电压 4000vrms
拓扑 2in1
尺寸（长×宽×高） 62×152×17mm
样品提供日 2023年6月14日
环境标识 符合rohs*3指令2011/65/eu和2015/863/eu
*1：基于三菱电机确定的测量条件，与1700v/600a nx-type si igbt module t-series (cm600dx-34t)对比得出
*2：jfet (junction field effect transistor)：结型场效应晶体管
*3：rohs: restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
关于三菱电机
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。在2022年《财富》世界500强排名中，位列351名。截止2022年3月31日的财年，集团营收44768亿日元(约合美元332亿)。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
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nx封装全sic功率半导体模块样品
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为工业设备的高效率、小型化、轻量化做出贡献
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三菱电机集团近日（2023年6月13日）宣布，将于6月14日开始提供工业设备用nx封装全sic功率半导体模块的样品。该模块降低了内部电感，并集成了第二代sic芯片，有望帮助实现更高效、更小型、更轻量的工业设备。
为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合。其中，对于能够显著降低功率损耗的sic功率半导体的期望越来越高。大功率、高效率功率半导体能够提高工业设备（逆变器等部件）的功率转换效率，其需求正在不断扩大。
三菱电机于2010年开始推出搭载sic芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗sic芯片和优化的内部结构，与现有的si igbt模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显著降低了功率损耗。
该sic产品的开发得到了日本新能源·产业技术综合开发机构(nedo)的部分支持。
产 品 特 点
优化的内部结构并采用sic芯片，有助于实现设备的高效率、小型化、轻量化
内部连接采用优化的叠层结构，实现了9nh的内部杂散电感，比现有igbt模块降低约47%；
通过降低内部杂散电感，抑制设备的浪涌电压，实现高速开关的同时降低开关损耗；
采用 jfet掺杂技术*2的第二代sic芯片具有低损耗特性，与现有si igbt模块相比，功率损耗降低约72%*1，有助于提高设备效率；
低的功率损耗有助于减少热量的产生，从而允许使用更小、重量更轻的散热器。
兼容的nx型封装，si模块和sic模块可以轻松替换
在搭载sic芯片的同时，在外形尺寸和管脚配置等方面维持了nx型封装的兼容性，便于轻松替换，有助于缩短新设备设计时间。
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主 要 规 格
型号 fmf600dxe-34bn
额定电压 1700v
额定电流 600a
绝缘电压 4000vrms
拓扑 2in1
尺寸（长×宽×高） 62×152×17mm
样品提供日 2023年6月14日
环境标识 符合rohs*3指令2011/65/eu和2015/863/eu
*1：基于三菱电机确定的测量条件，与1700v/600a nx-type si igbt module t-series (cm600dx-34t)对比得出
*2：jfet (junction field effect transistor)：结型场效应晶体管
*3：rohs: restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
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