导航定位系统需要实时采集位置数据,并将这些数据按照一定频率采样写入非易失存储器中。导航芯片普遍采用外挂独立式存储芯片(比如flash)的架构,极大地限制了整体系统的小型化和位置数据采样记录频率、抗噪能力的提升,并存在数据安全隐患。
使用mram hs4mansq1a-ds1高耐擦写特性可以提升导航芯片的数据采样写入频率(从1分钟/次至少提升到1秒/次);hs4mansq1a-ds1的先进节点可拓展性可以满足导航芯片在28/22纳米工艺节点片上集成非易失存储取代外挂存储的需求,并进一步降低功耗,提升数据安全。
hs4mansq1a-ds1是一个spi/qpi接口4m容量的mram,芯片可以配置为1位i/o独立接口或4位i/o通用接口,数据可以保持10年以上。工作温度: -40℃~125℃,适用于低电压工作,休眠电流仅2μa,待机电流2ma,在导航定位系统中,提供更优异的性能与更长的续航时间。
快速的spi接口:
• 支持标准spi, quad spi, qpi模式
• 高达200mhz时钟频率@spi sdr写
• 高达100mhz时钟频率@spi sdr读
• 高达60mhz时钟频率@quad spi sdr写
• 高达100mhz时钟频率@quad spi sdr读
• 高达60mhz时钟频率@qpi sdr写
• 高达100mhz时钟频率@qpi sdr读
• 写操作没有延迟
因此,mram非常适合导航定位这类需要实时记录/分析数据的应用场景。
注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
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