上周讨论了mos管的rdson和vgs、vds有怎样的关系?,这个属于比较细节的问题,在面试中基本不会遇到,但是今天讨论的这个问题还是很有可能碰到的。
一道问题
照例,我们先抛出来一个问题题:mos管内的体二极管,如何产生的?有什么用?这个可能只是面试中很少碰到,但如果搞不清弄不明,那在研发过程中必然会遇到很实际的问题:很可能掉坑里,自己却不自知。
体二极管的产生
想搞清楚mos管的体二极管如何产生,需要先从mos管的构造说起。我们以nmos管为例,如下图所示:
在p型衬底和源极s没有连接时,此时存在两个pn结:①衬底-s极的pn结;②衬底-d极的pn结。而mos管通常是将衬底和s极短接在一起,如下图所示:
当衬底和s极在外部短接时,衬底-s极间的pn结相当于被短路,此时只剩下衬底-d极间的pn结,这个就是所谓的mos管体二极管。pmos一样存在这样的体二极管,只是方向发生了变化。
该体二极管,不是刻意添加到mos管中,而是由生产工艺造成。既然体二极管的存在,我们无法规避,那我们如何合理的利用它呢?这就需要了解它的参数指标和作用。
体二极管的方向
关于mos管体二极管的方向,我相信有很多小伙伴分不清,也记不住,我之前也是这样。但自从按照下面的方法来理解,就再也没有混淆过。
①衬底箭头方向指向g极的是nmos,衬底箭头方向远离g极的是pmos,如下图红色箭头所指;
②衬底总是和s极相连,不管是nmos,还是pmos,如下图黄色箭头所指;
③体二极管总是和衬底在s极的流向一致,如下图所示,要么是都从s极出来,要么都进入到s极。
前面我们提到nmos的衬底箭头是指向g极,且和s极相连。那就是从s极出发并指向g极,对应的体二极管也是从s极出发,指向的是d极。
相反,pmos的衬底箭头是远离g极,且和s极相连。那就是(形象地理解为)从g极出发并进入s极,对应的体二极管是从d极出发,也进入s极。
按照这个理解方法,就可以轻松地记住并画出体二极管的方向。
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