相移全桥电路的功率转换效率提升：重负载时中开关元件工作相关的注意事项
关键要点： ・在重负载时，如果trr较长，则超前臂关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏mosfet。 ・在psfb电路中，在反向恢复期间体二极管的偏置电压几乎为0v，因此电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。 ・在psfb电路中使用trr小的mosfet很重要。 ・即使是快速恢复型sj mosfet，其性能也会因制造商和产品系列而异，因此在选择时需要充分确认。
在重负载时，如果mosfet的体二极管的反向恢复时间trr较长，且有电流残留，则在超前臂的mosfet关断时，寄生双极晶体管可能会误导通，从而损坏mosfet。这种问题发生在由关断时产生的对漏源电容cds的充电电流而使寄生双极晶体管自发地导通（误导通）、瞬间流过大电流时。 在逆变器电路等电路中，在正向电流流过mosfet的体二极管的状态下，通过施加高反向偏置电压，强制使体二极管中的电荷（qrr）被快速释放。这种放电所需时间为trr，因此最终会导致trr变短。 而在psfb电路中，在反向恢复期间施加到体二极管的偏置电压几乎为0v，这会使电荷释放速度变慢，最终导致trr变长。下图为超前臂mosfet的vds、id和反向恢复电流示意图。 当trr变长时，反向恢复所产生的电流会发生变化，如图中红色虚线所示。也就是说，当关断时，mosfet中有电荷残存，这使得电流更容易流动，使寄生双极晶体管更容易误导通。
t0～t1： 从mosfet的输出电容放电，正向电流开始流过体二极管。
t1～t3： 体二极管导通的时间段。
t1～t5： mosfet导通，处于导通状态的时间段。
t3～t4： 体二极管流过反向恢复电流的时间段。 trr越长，这个时间段就越长。
t5～t6： mosfet关断。这时，如果trr过长，则寄生双极晶体管更容易误导通，导致损坏mosfet。
因此，在psfb电路中，需要使用trr小的mosfet。简言之，trr越小越有效。市场上有一些低trr的快速恢复sj mosfet，但制造商和产品系列不同，trr及其相关参数也存在差异，因此，在选择时需要进行充分确认。 即使是滞后臂的mosfet，在关断时也可能引起寄生双极晶体管的误导通。但是，正如通过psfb电路的工作所解释说明的，由于与超前臂相比，id为正的时间段较长，因此不容易受到trr的影响，滞后臂不容易因寄生双极晶体管的误导通而导致mosfet损坏。与超前臂一样，这里也给出了反向恢复电流的示意图。
t0～t1： 从mosfet的输出电容放电，正向电流开始流过体二极管。
t0～t2： 体二极管导通的时间段。
t1～t4： mosfet导通，处于导通状态的时间段。
t2～t3： 体二极管流过反向恢复电流的时间段。trr越长，这个时间段就越长。
t4～t5： mosfet关断。与超前臂相比，不易受反向恢复的影响，因此寄生双极晶体管不易发生误导通。
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t1～t3： 体二极管导通的时间段。
t1～t5： mosfet导通，处于导通状态的时间段。
t3～t4： 体二极管流过反向恢复电流的时间段。 trr越长，这个时间段就越长。
t5～t6： mosfet关断。这时，如果trr过长，则寄生双极晶体管更容易误导通，导致损坏mosfet。
因此，在psfb电路中，需要使用trr小的mosfet。简言之，trr越小越有效。市场上有一些低trr的快速恢复sj mosfet，但制造商和产品系列不同，trr及其相关参数也存在差异，因此，在选择时需要进行充分确认。 即使是滞后臂的mosfet，在关断时也可能引起寄生双极晶体管的误导通。但是，正如通过psfb电路的工作所解释说明的，由于与超前臂相比，id为正的时间段较长，因此不容易受到trr的影响，滞后臂不容易因寄生双极晶体管的误导通而导致mosfet损坏。与超前臂一样，这里也给出了反向恢复电流的示意图。
t0～t1： 从mosfet的输出电容放电，正向电流开始流过体二极管。
t0～t2： 体二极管导通的时间段。
t1～t4： mosfet导通，处于导通状态的时间段。
t2～t3： 体二极管流过反向恢复电流的时间段。trr越长，这个时间段就越长。
t4～t5： mosfet关断。与超前臂相比，不易受反向恢复的影响，因此寄生双极晶体管不易发生误导通。
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