传三星与SK海力士正在研发EUV技术 未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低
就在台积电与三星在逻辑芯片制程技术逐渐导入euv技术之后，存储器产业也将追随。也就是全球存储器龙头三星在未来1y纳米制程的dram存储器芯片生产上，也在研究导入euv技术。而除了三星之外，韩国另一家存储器大厂sk海力士（hynix）也传出消息，正在研发euv技术来生产dram存储器，未来有机会藉此将生产dram的成本降低。
根据韩国媒体的报导，不论是处理器还是存储器，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的euv极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说，以逻辑芯片的处理器产品来看，因为在制程节点推进到7纳米制程之后，对euv技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程，未来也就越仰赖euv技术。
报导指出，而反观dram存储器产业，目前对euv技术需求相对来说就没有处理器来得那么殷切。原因是目前最先进的dram存储器制程依然在18纳米以上。所以，除了三星与海力士之外，全球三大存储器厂之一的美光，之前就表态表示，即使到了1α及1β的制程技术节点，也还没有使用euv技术的必要性。
不同于美光的看法，三星在处理器的逻辑芯片制程导入euv技术之后，在dram存储器制程上也传出开始在1y纳米制程节点上尝试euv技术，而且最快在2020年量产euv技术的1y纳米dram存储器。而除了三星之外，sk海力士也将在韩国的利川市新建的dram生产工厂中，研发内含euv技术的dram存储器生产技术。
至于，为何要采用euv技术来生产dram存储器，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低存储器单位容量成本。不过，虽然dram存储器希望以euv技术来进行生产。只是，目前在此领域euv技术还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这部分还需要时间来进行改进。
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不同于美光的看法，三星在处理器的逻辑芯片制程导入euv技术之后，在dram存储器制程上也传出开始在1y纳米制程节点上尝试euv技术，而且最快在2020年量产euv技术的1y纳米dram存储器。而除了三星之外，sk海力士也将在韩国的利川市新建的dram生产工厂中，研发内含euv技术的dram存储器生产技术。
至于，为何要采用euv技术来生产dram存储器，其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低存储器单位容量成本。不过，虽然dram存储器希望以euv技术来进行生产。只是，目前在此领域euv技术还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这部分还需要时间来进行改进。
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