泛林集团邀您共享CSTIC 2023技术盛会
中国年度半导体技术盛会——中国国际半导体技术大会(cstic)将于2023年6月26-27日在上海国际会议中心举办。近百位世界领先的行业及学术专家汇聚一堂，内容涵盖ic设计、半导体器件与集成、光刻、刻蚀、cmp、封装测试等各项前沿技术。
作为全球领先的半导体创新晶圆制造设备及服务供应商，泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士受邀将为大会做主题演讲，以“先进封装技术的挑战: 来自设备供应商的观点” 为题，介绍泛林集团的创新设备解决方案。与此同时，泛林集团多位专家还将在多个分会场进行学术分享，内容覆盖先进制程、工艺集成方案与碳膜填充等相关话题。
cstic 2023 大会主题演讲嘉宾
潘阳
泛林集团先进技术发展事业部
公司副总裁
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
先进封装技术的挑战: 来自设备供应商的观点
内容摘要
随着集成电路器件尺寸缩小变得越来越具有挑战性，先进封装技术开始在驱动系统性能、功率、外形尺寸和降低成本方面发挥重要作用。设备供应商是实现亚微米级封装技术路线图所必需的供应链中的关键组成部分。泛林集团的创新设备解决方案将使我们的客户能够采用混合键合和硅通孔(tsv)等重要技术。
泛林集团分论坛演讲日程
symposium iv: thin film, plating and process integration
演讲嘉宾
邓全
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
在动态随机存储器先进节点中使用不同位线间隔工艺集成方案的寄生电容研究
内容摘要
这项研究中，我们评估了先进动态随机存取存储器(dram)器件中电容节点接触(nc)和位线(bl)之间的寄生电容。工艺建模用于分析不同工艺集成方案下的寄生电容。结果表明，位线接触(blc)和位线间距的奇偶效应(bl-pw)对动态随机存取存储器的寄生电容有很大的影响。在工艺集成方案中使用低k间隔物和气隙间隔物均有助于减少寄生电容。我们的研究表明，使用低k间隔物和使用气隙间隔物可以分别使平均寄生电容降低16.5%和31.3%。
symposium iv: thin film, plating and process integration
演讲嘉宾
卢冠峰
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
碳膜填充在反向自对准双重曝光
(r-sadp)中的应用
内容摘要
随着临界尺寸的不断缩小，反向自对准双重曝光(r-sadp)技术被广泛应用于dram的图形制造中。对于成熟的r-sadp技术，一个关键挑战是如何降低在不同图案密度下，碳间隙填充后的高度差，简而言之，就是如何实现碳膜填充后的图形平坦化。传统的旋转碳膜涂布(soc)在不同的图案密度下会存在高低差问题，这是r-sadp中的关键工艺步骤，这个问题在后续图案转移到下面的氧化物层期间可能会导致刻蚀工艺窗口变窄，进而导致不同图案区域的断线和刻蚀不足等问题。与传统的旋转碳膜涂布(soc)相比，泛林集团的vector ahm hce机台提供了独特的cvd碳间隙填充工艺，该工艺实现了镀膜刻蚀协作自下而上的生长模式，从而获得平坦化的碳膜填充图形以及更高的碳膜量。我们成功地在不同的图案密度下进行了验证，碳膜的台阶高度从70nm优化到5nm。此外，搭配这种新型的碳膜间隙填充工艺以及泛林的 kiyo刻蚀机台，复杂图案成功地转移到下方氧化层，并且没有断线和桥接等问题。
symposium iii: dry & wet etch and cleaning
演讲嘉宾
许星星
演讲时间
2023年6月27日
演讲主题
先进制程的硬掩膜刻蚀中降低siarc残留物的方法
内容摘要
使用旋涂法沉积的光阻(pr)，硅基的抗反射层(siarc)和碳层(soc)的软三明治结构掩膜在先进制程中被用于将光阻图形转移到下层的硬掩膜。但是在先进制程中，光阻图形十分复杂，这增加了刻蚀过程中缺陷或者由刻蚀残留物造成的缺陷。在基于pr/siarc/soc的硬掩膜刻蚀过程中，由于不同的关键尺寸刻蚀的不均匀性导致的在硬掩膜刻蚀后siarc的残留是一个很常见的问题。但是由于关键尺寸的减小，刻蚀工艺过程中对于形貌的严格控制导致选择合适的siarc残留物去除方法是一个很大的难题。本课题从siarc残留物形成的机理出发，比较了三种通过优化刻蚀工艺去除siarc残留物的方法，并研究了这些方法对下层硬掩膜形貌的影响。这三种方法包括：1)增强主刻蚀后的去软掩膜步骤的清除能力，2)优化硬掩膜刻蚀中的break through步骤去除的能力，3)在soc刻蚀过程中通过优化soc对siarc的选择比来增加对siarc的清除能力。通过对比，我们展示了如何通过组合优化的方式来获得对形貌影响最小的siarc去除方式。
随着科技进步与行业助力，半导体产业的不断发展成为支撑世界经济增长的重要支柱。作为全球领先的半导体创新晶圆制造设备及服务供应商，泛林集团将与同业者携手共进，持续用创新的解决方案助力半导体产业的发展，推动定义下一代半导体技术的突破。
6月26 – 27日
泛林集团期待与您相约cstic 2023
共话创新 共望未来！
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区块链解决方案Quorum共识算法解析
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浅析基站、小区、扇区的关系
海信哈利手机评测 很好的兼顾了外观配置和续航三方面
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未来本土MCU企业中将会涌现出10亿级出货的大公司
新型电荷泵电路实现加倍提高电荷泵的应用性能
作为全球领先的半导体创新晶圆制造设备及服务供应商，泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士受邀将为大会做主题演讲，以“先进封装技术的挑战: 来自设备供应商的观点” 为题，介绍泛林集团的创新设备解决方案。与此同时，泛林集团多位专家还将在多个分会场进行学术分享，内容覆盖先进制程、工艺集成方案与碳膜填充等相关话题。
cstic 2023 大会主题演讲嘉宾
潘阳
泛林集团先进技术发展事业部
公司副总裁
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
先进封装技术的挑战: 来自设备供应商的观点
内容摘要
随着集成电路器件尺寸缩小变得越来越具有挑战性，先进封装技术开始在驱动系统性能、功率、外形尺寸和降低成本方面发挥重要作用。设备供应商是实现亚微米级封装技术路线图所必需的供应链中的关键组成部分。泛林集团的创新设备解决方案将使我们的客户能够采用混合键合和硅通孔(tsv)等重要技术。
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演讲嘉宾
邓全
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
在动态随机存储器先进节点中使用不同位线间隔工艺集成方案的寄生电容研究
内容摘要
这项研究中，我们评估了先进动态随机存取存储器(dram)器件中电容节点接触(nc)和位线(bl)之间的寄生电容。工艺建模用于分析不同工艺集成方案下的寄生电容。结果表明，位线接触(blc)和位线间距的奇偶效应(bl-pw)对动态随机存取存储器的寄生电容有很大的影响。在工艺集成方案中使用低k间隔物和气隙间隔物均有助于减少寄生电容。我们的研究表明，使用低k间隔物和使用气隙间隔物可以分别使平均寄生电容降低16.5%和31.3%。
symposium iv: thin film, plating and process integration
演讲嘉宾
卢冠峰
演讲时间
2023年6月26日
演讲主题
碳膜填充在反向自对准双重曝光
(r-sadp)中的应用
内容摘要
随着临界尺寸的不断缩小，反向自对准双重曝光(r-sadp)技术被广泛应用于dram的图形制造中。对于成熟的r-sadp技术，一个关键挑战是如何降低在不同图案密度下，碳间隙填充后的高度差，简而言之，就是如何实现碳膜填充后的图形平坦化。传统的旋转碳膜涂布(soc)在不同的图案密度下会存在高低差问题，这是r-sadp中的关键工艺步骤，这个问题在后续图案转移到下面的氧化物层期间可能会导致刻蚀工艺窗口变窄，进而导致不同图案区域的断线和刻蚀不足等问题。与传统的旋转碳膜涂布(soc)相比，泛林集团的vector ahm hce机台提供了独特的cvd碳间隙填充工艺，该工艺实现了镀膜刻蚀协作自下而上的生长模式，从而获得平坦化的碳膜填充图形以及更高的碳膜量。我们成功地在不同的图案密度下进行了验证，碳膜的台阶高度从70nm优化到5nm。此外，搭配这种新型的碳膜间隙填充工艺以及泛林的 kiyo刻蚀机台，复杂图案成功地转移到下方氧化层，并且没有断线和桥接等问题。
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演讲嘉宾
许星星
演讲时间
2023年6月27日
演讲主题
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内容摘要
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