storage-8---emmc时序和参数
引言:因为mmc接口允许轻松地与任何微处理器与mmc主机集成,并且嵌入式mmc控制器将nand技术与主机隔离,所以对nand的任何修订或修改对主机来说都是不可见的,也不需要关注,所有这些都实现了更快的产品开发和更快的上市时间。但要想实现emmc的高可靠性,需要严格测试emmc的信号质量,并满足jedec发布的标准。
1.引脚
数据总线宽度:1位(默认)、4位和8位
mmc i/f 时钟频率:0 ~ 200mhz
mmc i/f 启动频率:0 ~ 52mhz
clk:时钟输入
data strobe:hs400模式的新配值引脚,数据选通从emmc生成到主机。在hs400模式下,读取数据和crc响应与数据选通同步
cmd:用于设备初始化和命令传输的双向信号,命令操作有两种模式,开漏进行初始化和推拉快速传输命令
dat0-7:双向数据通道,它以推拉模式运行
rst_n:h/w复位信号引脚
vddf(vcc):提供闪存存储器的电源电压
vdd(vccq):存储器控制器的电源电压
vddi:内部功率节点,以稳定调节器输出到控制器的核心逻辑
vss:接地连接
rfu:保留供将来使用,不要用作任何用途
图8-1:emmc结构
2.传输模式和hs400 mode
在时钟的每个周期都会指示传输:在命令线上每个时钟周期进行1位传输;在数据线上,sdr模式下所有数据线传输1位,ddr模式下所有数据线传输2位(分别在上升沿和下降沿),时钟频率可在最小和最大时钟频率之间变化(0-200mhz)。
图8-2:ddr状态下的4-data-wire模式
hs400模式提高顺序带宽,特别是顺序读取性能,支持ddr数据采样方法,clk频率最高可达200mhz,但只有8位的总线宽度可用,信号电平1.8v,理论上,读取高达400mb/s,写入200mb/s。
图8-3:emmc的总线速度模式
图8-4表示i/o驱动程序强度类型(ext_csd寄存器:driver_strength [197])
图8-4:emmc的hs400模式五种驱动强度
1#:hs200和hs400设备必须支持0型驱动程序。
2#:当vccq=1.8 v时,标称阻抗由输出驱动器在0.9 v时的i-v特性定义。
3#:当vccq=1.2 v时,标称阻抗由0.6 v时输出驱动器的i-v特性定义。
0型驱动程序被定义为emmc hs200和hs400设备的强制性驱动程序,另有四个驱动程序类型(1、2、3和4)被定义为可选,以允许支持更广泛的主机负载。主机可以选择设备的最合适的驱动器类型(如果支持)以实现最佳信号完整性性能。
注:1.8v信号电平和1.2v信号电平的驱动强度定义相同。
0型驱动器适用于传输线,基于50ω标称线路的分布式系统阻抗,因此,它被定义为50ω标称驱动器。
对于hs200,当使用cl=15pf驱动器进行测试时,0型驱动器应满足所有交流特性
对于hs400,当使用jesd84-b51中定义的参考负载、驱动器类型0或驱动器类型1或4型驱动器应满足所有交流特性和hs400设备输出。
如果设备支持可选的驱动程序类型,主机可以使用它们来优化其系统,因此主机设计者可以使用设备驱动程序模型来模拟其特定系统。主机可以选择最佳驱动程序类型,该类型可以以所需的操作频率驱动主机系统负载产生最小的噪声,这一点在优化信号质量和emc方面特别有效。
driver_strength[197]中指出了设备支持的驱动程序类型级别扩展csd寄存器的字段。主机通过将(通过cmd6)写入扩展csd寄存器的hs_timing[185]字节中的“选定驱动器强度”字段。
图8-5列举了emmc5.1新功能:
图8-5:emmc5.1功能
3.启动时长
emmc不仅支持引导模式,而且还支持替代引导模式,支持高速定时和双数据速率。emmc启动时间轴回看:digital series-storage-7:emmc基础知识-2。
图8-6:启动程序、启动数据和初始化时间
图8-7:emmc的性能指标
图8-7是在测试条件:总线宽度x8,hs400,512kb数据包传输下实测的emmc顺序读取和顺序写入的速度。
4.时序
图8-8:总线sdr时序---数据必须始终在时钟的上升边缘进行采样
图8-9:总线sdr时序参数要求
在配置为双数据模式操作时的dat[7:0]信号,dat信号与clk的上升边缘和下降边缘同步运行。cmd信号仍然与clk的上升边缘同步运行,因此cmd信号没有定时变化。
图8-10:总线ddr时序---dat[7:0]行上的数据在时钟的两边进行采样
图8-11:总线ddr时序参数要求
如上只是sdr/ddr时序,关于hs400等等模式下的总线定时规范,可以参阅emmc v5.1的jedec官方权威文档jesd84-b51。
5.总线电平
总线信号电平,部分器件总线供电支持3.3v或者1.8v,因此所有的信号电平都与电源电压有关。
图8-12:总线信号电平上下阈值
图8-13:开漏模式总线信号电平
由于voh取决于外部电阻值(包括软件包外部),因此此值不适用于设备规范。主机负责选择外部上拉和开漏电阻值,以满足voh最小值。
emmc输入和输出电压的允许电压范围应在以下规定范围内:
图8-14:推拉信号电平-3.3v emmc
图8-15:推拉信号电平-1.70-1.95 vccq电压范围
其中0.7×vccq,适用于mmc4.3及更旧版本,0.3×适用于mmc4.3及更旧版本的0.3×vccq。
6.功耗
在配置系统电源树时,emmc的功耗是一个需要考虑的点,在功率测量条件:总线配置=x8@200mhz ddr最大rms电流的测量为100ms周期内的平均rms电流消耗下,emmc各种状态下的功耗如下:
图8-16:不同容量emmc运行期间的典型功耗
从图8-16可知,emmc容量越大,运行功耗越高,一个32gb的emmc,考虑3.3v供电,则功耗p=3.3×0.38=1.254w,那么就需要选择满足可以持续输出400ma的电源ic。
图8-17:不同容量emmc待机状态下的典型功耗(巡检读取激活)
图8-18:不同容量emmc待机状态下的典型功耗(巡检读取失能)
图8-19:不同容量emmc睡眠状态下的睡眠功耗
注意在睡眠模式下,nand电源可以关闭,如果nand电源被激活,则nand电源与待机状态相同。
7.总线信号线负载
emmc总线的每条线路的总电容cl为总线主电容chost、总线电容cbus本身和与该线路连接的emmc的电容器件之和:
主机和总线电容之和应在20pf以下,这几个参数对emmc的layout有比较严格的要求。
图8-20:emmc关键r/c参数
图8-21:hs400模式下的电容和电阻
8.如何在系统板上连接emmc
图8-22:emmc互连示例
1#:利用去耦电容滤除vcc/vccq电源噪声
2#:cmd和data[7:0]始终通过系统板上的电阻进行上拉,以防止总线浮动
3#:如果总线使用h/w复位,rstn也上拉
4#:sr_ds和sr_clk采用串联电阻稳定信号
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