三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

三星电子正在减少对平泽、平泽晶圆p3工厂的投资,因此预计增设规模将仅为当初计划的三分之一。计划升级为先进加工节点的设备更换伴随着自然减产,会对市场产生重大影响。
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
虽然2023年下半年价格出现反弹,但对市场复苏的预测仍然保守。p3增产投资减少可能意味着今后一年内供给不会大幅增加。特别是nand闪存的需求不会增加。与dram相比,nand投资的减少幅度更大。这意味着nand型市场的恢复将会趋缓。
三星电子的设备投资预计到2023年将达到36万亿至37万亿韩元(约270亿美元)。但是,由于最近的投资减少,预计今年年末总支出将减少到29万亿韩元。
另外,韩国投资证券调查中心负责人预测说,随着dram制造进入第4代10纳米节点(1a)和第5代10纳米节点(1b)加工技术,工程方式将大幅改变。设备升级期间,生产线暂时中断并安装新设备。这就是企业为了避免对产量影响过大而在淡季采取这种行动的原因。因此,三星存储器生产线的启动率将从q4下降,预计在q4中dram和nand的供应将大幅减少。
据悉,实际上,dram价格在过去6个月里已经触底,一直保持稳定趋势,存储器企业已经向客户公司提出了上调nand合同价格的要求。业界预测说,三星、sk海力士、美光将恢复经济周期,收益性也将迅速恢复。

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