单极晶体管共射放大电路
单极晶体管共射放大电路
单级放大电路是放大器的基本电路。根据电路结构的不同，可分为共射、共基和共集三种组态的基本放大电路。不管是哪种组态，它们的直流通路是一致的。因此，这里以应用最广泛的共射组态电路为例，介绍单级放大电路静态的调整和测试。
１、静态工作点的调整
小信号放大电路原理图，如图1所示：
图1 小信号放大电路原理图
交直流负载特性图，如图2所示：
图2 交直流负载特性图
２、静态工作点电流icq的测量
测量icq有以下几种方法：
（1）直接测量
（2）间接测量
icq＝urc/rc
ieq≈icq＝ueq/re
单极晶体管原理 在使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。
以n沟道增强型mos场效应管为例说明其工作原理。n沟道增强型mos管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的pn结组成。
图1
图2是实际结构示意图，它以低掺杂p型硅片为衬底，用扩散工艺在上面形成两个高掺杂的n+小区，并分别用引线引出，一个作为源极s，另一个作为漏极d。在硅片表面用生长法制造了一层二氧化硅绝缘薄膜，厚度不到0.1μm，而绝缘电阻却高达1012~1015ω量级。通常盖在s和d之间的二氧化硅薄层上，形成栅极g。
图2
n沟道增强型mos管的电路符号如图3所示。箭头方向表示p衬底指向n沟道，三根短线分别代表源s、漏d和衬底b。同时也表示在开路状态下，d、s之间是不通的，因为中间仅有两个背靠背的pn结，没有导电通道。
图3
mos管的衬底b和源极s通常是接在一起的。若将源、漏极短路，在栅、源之间加正电压υgs，如图4所示，则在栅极和p衬底之间的sio2中产生指向p衬底的电场。该电场排斥p衬底中的多数载流子空穴，在栅极覆盖的sio2，绝缘薄层下面形成耗尽层。当栅源电压超过某一电压值vt时，p衬底中的少数载流子在强大电场作用下就会聚集到栅极下面，形成n型薄层，因其类型与衬底类型相反，故称为反型层。反型层与源、漏极的n+区搭接，则形成一个可导电的n型感生沟道。控制栅源电压vgs，可控制导电沟道的宽度，改变漏源问的电阻。阈值电压vt称为增强型mos管的开启电压。
图4
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图2
n沟道增强型mos管的电路符号如图3所示。箭头方向表示p衬底指向n沟道，三根短线分别代表源s、漏d和衬底b。同时也表示在开路状态下，d、s之间是不通的，因为中间仅有两个背靠背的pn结，没有导电通道。
图3
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