Intel10nm工艺和7nm工艺对比结果 处理器差距有多大?
intel10nm工艺
分析发现，intel 10nm工艺使用了第三代finfet立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍！
作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于intel的一半多，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过intel 10nm。
至于台积电、gf两家的7nm，晶体管密度比三星还要低一些。
换言之，仅晶体管集成度而言，intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上，甚至还要更好！
另外，intel 10nm的最小栅极间距(gate pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(metal pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。
事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比，intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。
intel 10nm的其他亮点还有：
－ beol后端工艺中首次使用了金属铜、钌(ru)，后者是一种贵金属
－ beol后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)
－ 6.2-track高密度库实现超级缩放(hyperscaling)
－ cell级别的coag(contact on active gate)技术
当然了，技术指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品才算数。
7nm工艺 若要谈7nm的性能强度，我们可以以新款iphone为例，谈谈7nm和intel10nm处理器的差距。新款iphone最吸引人的创新其实就是这款基于7nm工艺制程的a12处理器，苹果仅用一年时间就从10nm制程的a11升级到可以商用的7nm制程芯片，而其他移动芯片厂商比如高通，可能要在2019年才能推出基于7nm制程的芯片。
预计a12处性能相较理器于a11 fusion会有更加明显的提升，cpu性能预计提升在25%左右，图像处理性能可能会提升超过30%。没有意外的话gpu内核将由3个提升到6个，并且会结合ar应用推出更多有意思的ar游戏，新一代怪兽级别的处理器即将诞生。
新推出的iphone x plus电池容量预计会在3200mah左右，根据a12代工厂台积电官网显示，7nm制程的芯片功耗相比上一代芯片最高可以降低40%！这才是真正的突破，下一代大屏iphone x plus的续航可能不再会是iphone的短板了。而5.8和6.1英寸的iphone电池容量可能不会有明显变化，但是续航相较于a11处理器的iphone x还是会好一些。
台积电表示5nm工艺的芯片可能会在2019年年底或2020年年初才能量产，而苹果a13处理器依旧由台积电生产的话，很有可能依旧会用7nm的制程。
不过近几年移动芯片工艺的提升比我们想象的要快得多，并且5nm很有可能是目前芯片的极限，如果要进一步提升工艺的话，目前最大的难题依旧是finfet结构也不能在保障性能的前提下同时抑制漏电情况，在这样小的尺度下，可能会有经典物理的短沟道效应、量子力学的量子隧穿效应等等物理学的影响，目前还没有很好的方法应对这些情况。
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另外，intel 10nm的最小栅极间距(gate pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(metal pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。
事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比，intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。
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新推出的iphone x plus电池容量预计会在3200mah左右，根据a12代工厂台积电官网显示，7nm制程的芯片功耗相比上一代芯片最高可以降低40%！这才是真正的突破，下一代大屏iphone x plus的续航可能不再会是iphone的短板了。而5.8和6.1英寸的iphone电池容量可能不会有明显变化，但是续航相较于a11处理器的iphone x还是会好一些。
台积电表示5nm工艺的芯片可能会在2019年年底或2020年年初才能量产，而苹果a13处理器依旧由台积电生产的话，很有可能依旧会用7nm的制程。
不过近几年移动芯片工艺的提升比我们想象的要快得多，并且5nm很有可能是目前芯片的极限，如果要进一步提升工艺的话，目前最大的难题依旧是finfet结构也不能在保障性能的前提下同时抑制漏电情况，在这样小的尺度下，可能会有经典物理的短沟道效应、量子力学的量子隧穿效应等等物理学的影响，目前还没有很好的方法应对这些情况。
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