智能手机需求强劲 第三季NAND Flash供应商营收增长两成
2016年第三季nand flash开始涨价，使得nand flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
trendforce旗下内存储存事业处dramexchange最新调查显示，受惠于智能型手机需求强劲，及供给端2d-nand 转进3d-nand 所导致的整体产出减少，2016年第三季nand flash开始涨价，使得nand flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
dramexchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体nand flash供不应求的市况将更为显著，各项nand flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。
以各家厂商表现来看，由于第三季中国智能型手机品牌对于高容量emmc/ufs的需求强劲，让三星（samsung）成为最大赢家。三星在高容量的emmc/ufs与emcp市占率领先同业，企业级固态硬盘（ssd）产品更藉出色的性价比出货强劲。第三季三星nand flash位出货量季成长约20%，营收季成长约20%。
展望2016年第四季，dramexchange认为智能型手机的需求将带动高容量emmc/ufs与emcp的需求攀升至年度高点，再加上三星在用户级、企业级ssd的市占率增加，预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。
同样受惠中国智能型手机的emmc/emcp需求，及其他品牌新机上市的备货需求带动，使得第三季sk海力士（hynix） nand flash位出货量季增12%，平均销售单价更季成长7%，营收亦大幅季增20.3%，至10.61亿美元。
sk海力士3d-nand flash的产能在今年底前将达每月2~3万片，第三代3d-nand flash明年第一季可开始放量出货，第四代的3d-nand flash有机会在明年下半开始少量生产。
同样受惠于整体nand flash市况好转，东芝电子（toshiba）在其会计年度2016年第二季（7~9月）位出货量季增15%，平均销售单价跌幅减缓，整体营收季增约17%，营业利益率也呈现季成长，营运表现渐入佳境。
产能规划部分，东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3d-nand flash，第四季产能达每月4万片，待2017年64层堆栈的3d-nand flash顺利量产后，产能提升速度将更快，而其第六半导体厂房新建计划，将从明年二月开始动工。
从威腾电子（wd）的2017会计年度第一季相关nand flash的表现来看，其64层堆栈的3d-nand flash是投资焦点。目前64层堆栈的3d-nand flash产品正处oem客户测试阶段，预计今年12月起率先使用在卡片及随身碟等产品上，而其48层堆栈的产品已在emmc/emcp等行动式nand及外插式产品在线量产。
现阶段15纳米 2d-nand flash仍为威腾电子主流制程，良率及成本效益都已达优化，因此对利润提升有很大帮助，2017年威腾电子的nand flash位产出成长率预期将达45%。
美光（micron） 2016会计年度第四季（6~8月）位出货量季成长13%，平均销售单价下滑1%，非挥发性内存（non-volatile）营收季成长约10%，至10亿美元，在产品营收比重上，component base略微下降至50%、行动式nand产品微幅上升至18%、ssd则占13%，车用及其他类别占约19%。
美光3d-nand flash架构的行动式nand在客户端得到不错评价外，用户级ssd也已开始量产出货，而企业级ssd位出货量更大幅季成长逾45%。此外，等到美光3d-nand flash （tlc）版本成为主流后，将可改善美光ssd的成本架构。
第三季英特尔（intel） nand flash位出货量大幅季增25%以上，营收也季成长17%，至6.49亿美元，结束连续三季的衰退。从产品规划来看，虽然英特尔16纳米与20纳米依旧为产品组合大宗，但自第三季起其3d-nand flash的企业级固态硬盘已顺利出货放量，性价比已较上个世代产品更具竞争力。在产能规划上，英特尔大连厂第四季产能约为每月1万片，至明年开始将逐季提升。
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dramexchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体nand flash供不应求的市况将更为显著，各项nand flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。
以各家厂商表现来看，由于第三季中国智能型手机品牌对于高容量emmc/ufs的需求强劲，让三星（samsung）成为最大赢家。三星在高容量的emmc/ufs与emcp市占率领先同业，企业级固态硬盘（ssd）产品更藉出色的性价比出货强劲。第三季三星nand flash位出货量季成长约20%，营收季成长约20%。
展望2016年第四季，dramexchange认为智能型手机的需求将带动高容量emmc/ufs与emcp的需求攀升至年度高点，再加上三星在用户级、企业级ssd的市占率增加，预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。
同样受惠中国智能型手机的emmc/emcp需求，及其他品牌新机上市的备货需求带动，使得第三季sk海力士（hynix） nand flash位出货量季增12%，平均销售单价更季成长7%，营收亦大幅季增20.3%，至10.61亿美元。
sk海力士3d-nand flash的产能在今年底前将达每月2~3万片，第三代3d-nand flash明年第一季可开始放量出货，第四代的3d-nand flash有机会在明年下半开始少量生产。
同样受惠于整体nand flash市况好转，东芝电子（toshiba）在其会计年度2016年第二季（7~9月）位出货量季增15%，平均销售单价跌幅减缓，整体营收季增约17%，营业利益率也呈现季成长，营运表现渐入佳境。
产能规划部分，东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3d-nand flash，第四季产能达每月4万片，待2017年64层堆栈的3d-nand flash顺利量产后，产能提升速度将更快，而其第六半导体厂房新建计划，将从明年二月开始动工。
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现阶段15纳米 2d-nand flash仍为威腾电子主流制程，良率及成本效益都已达优化，因此对利润提升有很大帮助，2017年威腾电子的nand flash位产出成长率预期将达45%。
美光（micron） 2016会计年度第四季（6~8月）位出货量季成长13%，平均销售单价下滑1%，非挥发性内存（non-volatile）营收季成长约10%，至10亿美元，在产品营收比重上，component base略微下降至50%、行动式nand产品微幅上升至18%、ssd则占13%，车用及其他类别占约19%。
美光3d-nand flash架构的行动式nand在客户端得到不错评价外，用户级ssd也已开始量产出货，而企业级ssd位出货量更大幅季成长逾45%。此外，等到美光3d-nand flash （tlc）版本成为主流后，将可改善美光ssd的成本架构。
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