DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM
ds1230w 3.3v 256k非易失sram为262,144位、全静态非易失sram，按照8位、32,768字排列。每个nv sram自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 dip封装的ds1230w器件可以用来替代现有的32k x 8静态ram，符合通用的单字节宽、28引脚dip标准。dip器件还与28256 eeprom的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。powercap模块封装的ds1230w器件可以直接表面贴安装、通常与ds9034pc powercap配合构成一个完整的非易失sram模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代32k x 8易失静态ram、eeprom或闪存
没有写次数限制
低功耗cmos操作
100ns的读写时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°c至+85°c工业级温度范围，指定为ind
jedec标准的28引脚dip封装
powercap模块(pcm)封装
表面贴装模块
可更换的即时安装powercap提供备份锂电池
所有非易失sram器件提供标准引脚
分离的powercap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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