Numonyx与Intel 开发堆叠式交叉点相变化内存技术
numonyx与intel 开发堆叠式交叉点相变化内存技术
numonyx b.v. 与 intel corporation 宣布相变化内存 (pcm) 研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点。研究人员也首度展示可于单一芯片堆叠多层pcm 阵列的 64mb 测试芯片。对于随机存取非挥发性内存及储存应用而言，此一成果也为发展容量更高、功耗更低且体积更小的内存装置奠定重要基础。
此为numonyx 与 intel 长期合作研究的成果，该计划着重于研究多层式或堆叠式 pcm 单元阵列。numonyx 与 intel 双方的研究人员目前已展示pcms (相变化内存及开关)的垂直式整合内存单元。pcms 包含一个 pcm 元件，此元件与全新的堆叠双向阈值开关 (ovonic threshold switch, ots)堆叠于交叉点阵列 (cross point arrays) 中。其堆叠 pcms 阵列的能力有助扩充内存容量，同时维持 pcm 的效能特性，这对于传统的内存技术而言是相当不易克服的挑战。
numonyx 资深技术研究员 greg atwood 表示相当看好目前成果的前景，此项成果同时也显示了未来的 pcm 产品发展更高容量、可扩充式阵列及类 nand 使用模式的可能。由于从手机到资料中心，每一项应用对内存的需求都持续增加，而传统的快闪存储器技术正面临某些实体限制和可靠性等问题，这项成果在此刻更显重要。
intel 研究员兼内存技术开发总监 al fazio 表示，intel 持续开发内存技术，以期推动运算平台发展。intel 对于目前研究的里程碑感到相当振奋，并且预期未来 pcms 等内存技术对于延伸内存在运算解决方案中所扮演的角色，以及对于效能及内存扩充方面的重要性。
内存单元是由储存元件及选择器堆叠而成，而多个单元又组成内存阵列。numonyx 与 intel 的研究人员现已利用薄膜双终端 ots 做为选择器，以符合 pcm 扩充时的实体及用电需求。透过薄膜 pcms 的相容性，多层的交叉点内存阵列目前已成为可能。当整合并嵌入交叉点阵列后，多层式阵列便可结合 cmos 电路的解码、侦测及逻辑功能。
更多关于内存单元、交叉点阵列、实验及成果的资讯登载于 “a stackable cross point phase change memory” 这份共同文件中，并且将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子装置会议 (international electron devices meeting) 中发表。此文件由 numonyx 与 intel 双方的技术人员共同完成，并将由 intel 资深首席工程师 derchang kau 代表发表。
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numonyx 资深技术研究员 greg atwood 表示相当看好目前成果的前景，此项成果同时也显示了未来的 pcm 产品发展更高容量、可扩充式阵列及类 nand 使用模式的可能。由于从手机到资料中心，每一项应用对内存的需求都持续增加，而传统的快闪存储器技术正面临某些实体限制和可靠性等问题，这项成果在此刻更显重要。
intel 研究员兼内存技术开发总监 al fazio 表示，intel 持续开发内存技术，以期推动运算平台发展。intel 对于目前研究的里程碑感到相当振奋，并且预期未来 pcms 等内存技术对于延伸内存在运算解决方案中所扮演的角色，以及对于效能及内存扩充方面的重要性。
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更多关于内存单元、交叉点阵列、实验及成果的资讯登载于 “a stackable cross point phase change memory” 这份共同文件中，并且将于 2009 年 12 月 9 日在美国马里兰州巴尔的摩举行的 2009 年国际电子装置会议 (international electron devices meeting) 中发表。此文件由 numonyx 与 intel 双方的技术人员共同完成，并将由 intel 资深首席工程师 derchang kau 代表发表。
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