台积电2nm芯片将采用GAAFET技术
台积电正式公布2nm制造技术，首次采用gaafet全环绕栅极晶体管技术，而非现在的finfet鳍式场效应晶体管技术，gaafet技术将大大降低了漏电流和降低功耗的能力。
台积电2nm芯片性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了1.1倍以上，将应用于各种移动soc、高性能cpu和gpu等领域。
值得一提的是，台积电采用finflex技术的3nm芯片将在未来几个月内投入生产，而2nm芯片将在2024年开始风险试产，预计将2025年实现量产。
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