PN结温度传感器及测温电路原理

pn结温度传感器及测温电路原理
温度传感器是通过物体随温度变化而改变某种特性来间接测量的。不少材料、元件的特性都随温度的变化而变化,所以能作温度传感器的材料相当多。温度传感器随温度而引起物理参数变化的有:膨胀、电阻、电容、而电动势、磁性能、频率、光学特性及热噪声等等。随着生产的发展,新型温度传感器还会不断涌现。
由于工农业生产中温度测量的范围极宽,从零下几百度到零上几千度,而各种材料做成的温度传感器只能在一定的温度范围内使用。具体可参考本站文章:常用的测温传感器的种类与测温范围 及 常用温度传感器的比较及选型。温度传感器的种类较多,我们主要介绍pn结温度传感器及应用电路。
pn结温度传感器
工作原理
晶体二极管或三极管的pn结的结电压是随温度而变化的。例如硅管的pn结的结电压在温度每升高1℃时,下降-2mv,利用这种特性,一般可以直接采用二极管(如玻璃封装的开关二极管1n4148)或采用硅三极管(可将集电极和基极短接)接成二极管来做pn结温度传感器。这种传感器有较好的线性,尺寸小,其热时间常数为0.2—2秒,灵敏度高。测温范围为-50—+150℃。典型的温度曲线如图1所示。同型号的二极管或三极管特性不完全相同,因此它们的互换性较差。
应用电路(一)
图(2)是采用pn结温度传感器的数字式温度计,测温范围-50—150℃,分辨率为0.1℃,在0—100℃范围内精度可达±1℃。
图中的r1,r2,d,w1组成测温电桥,其输出信号接差动放大器a1,经放大后的信号输入0—±2.000v数字式电压表(dvm)显示。放大后的灵敏度10mv/℃。a2接成电压跟随器。与w2配合可调节放大器a1的增益。
通过pn结温度传感器的工作电流不能过大,以免二极管自身的温升影响测量精度。一般工作电流为100—300ma。采用恒流源作为传感器的工作电流较为复杂,一般采用恒压源供电,但必须有较好的稳压精度。
精确的电路调整非常重要,可以采用广口瓶装入碎冰渣(带水)作为0℃的标准,采用恒温水槽或油槽及标准温度计作为100℃或其它温度标准。在没有恒水槽时,可用沸水作为100℃的标准(由于各地的气压不同,其沸点不一定是100℃,可用0—100℃的水银温度计来校准)。
将pn结传感器插入碎冰渣广口瓶中,等温度平衡,调整w1,使dvm显示为0v,将pn结传感器插入沸水中(设沸水为100℃),调整w2,使dvm实现为100.0v,若沸水温度不是100℃时,可按照水银温度计上的读数调整w2,使dvm显示值与水银温度计的数值相等。再将传感器插入0℃环境中,等平衡后看显示是否仍为0v,必要时再调整w1使之为0v,然后再插入沸水,看是否与水银温度计计数相等,经过几次反复调整即可。
图中的dvm是通用3位半数字电压表模块mc14433,可以装入仪表及控制系统中作显示器。mc14433的应用电路可参考本网站的常用a/d转换器中的技术手册。它的主要技术指标如下:
基本量程:±1.999v(2v)
线性误差:该读数的0.05%±1字
电源:5—7.5v单电源
平均功耗:300mw
过量程时:数字闪烁
du脚接地时:数据可保持
应用电路(二)
下面我们来看看利用不带a/d转换器的单片机实现测温的应用电路。
这里我们选用内带一个模拟比较放大器的at89c2051单片机来实现这一功能,at89c2051是一片atmel公司推出的兼容c51的8位单片机,内带2k的flash程序存储器,128字节的内部ram,具有15个i/o口,6个中断源,只有20个引脚,价格也相当便宜,可谓价廉物美的单片机。详细的资料可参见本网站的“atmel单片机”中的at89c2051。其中内含一个模拟比较放大器,p1.0是比较放大器的同相输入端,p1.1是比较放大器的反相输入端,这两个输入输出口内部并没有上拉电阻,比较放大器的输出端连至p3.6,也没有引出,但可用指令访问该引脚。
在该单片机外接rc元件即可构成简单的,低精度的a/d转换电路,电路如图3所示,p1.0(同相端)接上rc充放电阻和电容,p1.1(反相端)作为外部被测温度电压的输入端,作为pn结温度传感器,本身输出电压较低,可参照上一节我们给出的放大电路,温度传感电压经放大后再引至单片机的输入端。p1.2充放电控制端通过一个数kω的电阻接正电源vcc,因为r1远小于r2,可以认为在p1.2输出逻辑高电平时,电压是相当接近vcc高电平的。
电路工作过程如下:程序开始时,先置p1.2为逻辑低电平,并延时一小段时间,使p1.2为低电平,电容c经r2放完电,此时,p1.0=0v,而p1.1>0v,比较放大器输出“0”电平,接着置p1.2为高电平,同时定时器开始计时,当电容c上的电压vc充到vc=vx时,p1.0与p1.1的电位相等,比较放大器的同相端和反相端电平相等时,输出端p3.6输出高电平,当扫描查询到p3.6为高电平时即停止计时,那么只要测得开始对电容充电到p3.6输出高电平的时间,通过换算即可得到外部被测温度电压的值。
这里需要指出,从图5中我们可以看到,电容器的充电过程并非线性,其充电过程可以描述为:
这个非线性特性,我们在单片机编程时,可以通过补偿和校正的方法加以解决,最常用的方法也是最简单的方法是通过查表的办法进行修正。这样便可满足一种低精度简易的温度测量要求。

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