三星第8代V-NAND已开始量产
三星第8代v-nand已开始量产，具有目前三星同类产品中最高的存储密度
三星宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的 1tb（太字节）三比特单元（tlc）第 8 代 v-nand。1tb 的全新 v-nand 在目前三星 v-nand 中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
三星电子第八代v-nand，1tb
三星采用 3d 缩放（3d scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新 nand 闪存标准 toggle ddr 5.0 接口的三星第 8 代 v-nand，其输入和输出（i/o）速度高达 2.4 gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，这可以满足 pcie 4.0 和更高版本 pcie 5.0 的性能要求。
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