搭载输出驱动能力调节功能 适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列开售
rohm集团旗下的lapis semiconductor，作为高可靠性 dram系列产品，新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128m bit sdram“md56v72160c”/256m bit sdram“md56v82160a”。本lsi搭载了4级输出驱动能力调节功能，可根据用户系统调节电流驱动能力，降低辐射噪声，从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外，引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜（cu）框架，因此，还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售，计划从2014年3月份开始以月产100万个的规模开始量产销售。
＜背景＞
在中小容量sdram的用途之一车载设备系统中，工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响，因此，对于提升系统品质来说，降低辐射噪声成为重要课题。lapis semiconductor着眼于该课题，为降低sdram工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，早在以往产品16m bit /64m bit sdram上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评，为扩大在需要更大容量sdram的用途中的应用范围，lapis semiconductor开发了128m bit 、256m bit sdram。
另外，dram的主流产品逐渐向大容量、高速化的ddr2/ddr3-sdram发展，中小容量sdram的供应越来越不稳定。lapis semiconductor将中小容量的sdram定位为传统dram注1，作为唯一可长期供货的日本国内制造商，不仅面向车载用途市场，而且面向更广阔的工业设备市场，正在不断完善产品的产品阵容。
＜新产品详情＞
1．搭载输出驱动能力调节功能
为降低sdram工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4级驱动能力。
本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外，可按出货时固定规格的驱动能力设定供货，即使使用已有的sdram控制器无需配置扩展模式寄存器，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。
2．采用铜引线框架
为满足车载设备领域的与pcb板之间的高可靠性焊接连接性的要求，本产品采用连接可靠性优异的铜（cu）引线框架。与以往的42合金引线框架相比，其与pcb板的热膨胀系数更相近，因此，提高了焊接连接可靠性，满足了汽车厂家要求的pcb板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外，还同时抑制了锡晶须不良的发生。
3．满足车载品质
为实现高品质，支持定制符合客户要求品质的测试工序。
4．芯片销售遵循kgd（known good die）保证
从晶圆级保证与封装产品同等的品质，通过与客户的使用方法相匹配的测试工序，提供高品质的芯片产品。
lapis semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性sdram产品并长期稳定供应为目标，进一步推出256m bit ddr1、512m bit ddr2，不断扩充传统dram注1产品的阵容。
【销售计划】
产品名 ：md56v72160c / md56v82160a 包装形态 ：托盘1080个 样品出售时间 ：样品出售中 样品价格（参考）： md56v72160c 360日元（不含税）
md56v82160a 520日元（不含税）
量产出售计划 ：2014年3月开始 【产品概要/特点】
规格 ：满足jedec标准规格 存储器结构 ： 4 bank×2，097，152 word×16 bit （md56v72160c）
4 bank×4，194，304 word×16 bit （md56v82160a）
地址大小 ： 4，096行 × 512列（md56v72160c）
8，192行 × 512列（md56v82160a）
工作频率 ：166mhz（max.） 接口 ：lvttl兼容 功能 ：通用sdram指令接口 电源电压 ：3.3v±0.3v 工作温度范围 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃ 刷新 ： 自动刷新时 4，096次/64msec（md56v72160c）8，192次/64msec（md56v82160a） 自刷新
消耗电流（typ.） ： 工作时（166mhz） 100ma （md56v72160c） 150ma （md56v82160a） 待机时（动态待机时） 50ma （md56v72160c）65ma （md56v82160a）
关机时 3ma
封装 ： 54pin tsop
铜引线框架、满足rohs指令、无铅、无卤
【术语解说】
注1 传统dram
dram市场随着电脑和手机的高性能化发展，主流产品逐渐转变为大容量、高速dram，中小容量dram的供应厂家日益减少。然而，消费电子设备和车载设备等产品中，从噪声设计角度等出发，适用中小容量、中速dram的应用大量存在。另外，通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中，从控制器变更等设计变更较难或想控制设计变更费用等角度出发，存在希望继续使用中小容量dram的需求。lapis semiconductor将这些中小容量dram定位为“传统dram”，不断开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品，以进一步扩充传统dram的产品阵容，为客户提供长期稳定供应。
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PICMG增强COM-HPC、IoT.x、MicroTCA标准
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调频无线话筒
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＜背景＞
在中小容量sdram的用途之一车载设备系统中，工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响，因此，对于提升系统品质来说，降低辐射噪声成为重要课题。lapis semiconductor着眼于该课题，为降低sdram工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，早在以往产品16m bit /64m bit sdram上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评，为扩大在需要更大容量sdram的用途中的应用范围，lapis semiconductor开发了128m bit 、256m bit sdram。
另外，dram的主流产品逐渐向大容量、高速化的ddr2/ddr3-sdram发展，中小容量sdram的供应越来越不稳定。lapis semiconductor将中小容量的sdram定位为传统dram注1，作为唯一可长期供货的日本国内制造商，不仅面向车载用途市场，而且面向更广阔的工业设备市场，正在不断完善产品的产品阵容。
＜新产品详情＞
1．搭载输出驱动能力调节功能
为降低sdram工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4级驱动能力。
本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外，可按出货时固定规格的驱动能力设定供货，即使使用已有的sdram控制器无需配置扩展模式寄存器，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。
2．采用铜引线框架
为满足车载设备领域的与pcb板之间的高可靠性焊接连接性的要求，本产品采用连接可靠性优异的铜（cu）引线框架。与以往的42合金引线框架相比，其与pcb板的热膨胀系数更相近，因此，提高了焊接连接可靠性，满足了汽车厂家要求的pcb板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外，还同时抑制了锡晶须不良的发生。
3．满足车载品质
为实现高品质，支持定制符合客户要求品质的测试工序。
4．芯片销售遵循kgd（known good die）保证
从晶圆级保证与封装产品同等的品质，通过与客户的使用方法相匹配的测试工序，提供高品质的芯片产品。
lapis semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性sdram产品并长期稳定供应为目标，进一步推出256m bit ddr1、512m bit ddr2，不断扩充传统dram注1产品的阵容。
【销售计划】
产品名 ：md56v72160c / md56v82160a 包装形态 ：托盘1080个 样品出售时间 ：样品出售中 样品价格（参考）： md56v72160c 360日元（不含税）
md56v82160a 520日元（不含税）
量产出售计划 ：2014年3月开始 【产品概要/特点】
规格 ：满足jedec标准规格 存储器结构 ： 4 bank×2，097，152 word×16 bit （md56v72160c）
4 bank×4，194，304 word×16 bit （md56v82160a）
地址大小 ： 4，096行 × 512列（md56v72160c）
8，192行 × 512列（md56v82160a）
工作频率 ：166mhz（max.） 接口 ：lvttl兼容 功能 ：通用sdram指令接口 电源电压 ：3.3v±0.3v 工作温度范围 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃ 刷新 ： 自动刷新时 4，096次/64msec（md56v72160c）8，192次/64msec（md56v82160a） 自刷新
消耗电流（typ.） ： 工作时（166mhz） 100ma （md56v72160c） 150ma （md56v82160a） 待机时（动态待机时） 50ma （md56v72160c）65ma （md56v82160a）
关机时 3ma
封装 ： 54pin tsop
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