IGBT管的功耗讲解
igbt管的功耗主要是以下三个：
1、通态损耗ps。大体来讲，通态损耗等于集电极电流和igbt管饱和压降的乘积即：ps=ic*uces。
ps-通态功耗，单位w
ic-集电极电流，单位a
uces-igbt饱和压降，单位v
2、开关损耗。igbt管每次开通和关断都会损耗一定的功率。开通损耗pon和关断损耗poff都和集电极电流和igbt管温度有关。一般来讲，温度越高，集电极电流越大，则开关损耗越大。如下图：
igbt开通损耗
igbt关断损耗
3、续流二极管的损耗pd。与igbt反并联的续流二极管也会产生一定的损耗，其大小与通过续流二极管的平均电流id成正比。
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