传感器分会举行，今年温度传感器实现大丰收
半导体国际会议“isscc 2010”从2010年2月8日开始举行。在session 17的“sensors＆mems”上，关于温度传感器的发布占了大多数，在该场会议的8项发布中，有5项是关于温度传感器的内容。
作为此次发布的各种温度传感器的应用领域，被划分为面向传感器网络和无线标签追求低功耗的“17.1, 17.2”，追求微细工艺精度的“17.3”以及无需补偿也可追求高精度的“17.4”等，在某种意义上来说，会议内容让人觉得“温度传感器”的研究已经达到了极限。可能因为本次会议的会场在比较狭窄的房间，因此非常拥挤。
作为利用双极晶体管带隙的温度传感器，有“17.1, 17.2, 17.3”3项发布。尤其是通过进行双级a-d转换的名为“zoom adc”的技术，在确保精度的同时降低了功耗的17.2（荷兰代尔夫特工业大学，delft university of technology），以及驱使电流源的更换和斩波（chopper，与更换同意），通过采用dnw的npn型晶体管，在65nm级cmos工艺中实现了高精度的17.3（荷兰恩智浦半导体, 代尔夫特工业大学，荷兰特文特大学），两者在精度方面进行了比拼。
另一方面，在利用了热扩散温度依赖性的温度传感器中（17.4），通过0.18μm的cmos技术表明有望利用微细化同时提高精度和采样速率两方面，还表明今后有望进一步实现微细化。
佐治亚理工学院（georgia institute of technology）的“17.6”演讲发布了在mems接口中，通过利用tia（transimpedance amplifiers）以高带宽读取1ghz左右的mems振荡器信号，以便替换晶体振荡器的振荡器，这些内容让人们对今后的系统实现充满期望。
在17.8中，英国爱丁堡大学（university of edinburgh）和斯杰克莱大学（university of strathclyde）发布了针对生物医疗用荧光寿命图像显微镜的led短脉冲发光驱动器相关报告。这表明，无需高价位雷达的短脉冲发光已近在眼前。
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