材料与工艺突破在望，可弯曲AMOLED量产在即？
可弯曲amoled面板量产挑战已逐步获得解决。近期各大显示器制造商已陆续发布可弯曲amoled面板原型，且在基板材料、tft技术、封装与制程技术等关键量产挑战上，也已掌握可行的解决方向，可望加快可弯曲amoled面板商用。
主动式有机发光二极体显示器（active matrix organic light-emitting diode display， amoled）属于自发光的显示技术，结构较使用背光源的液晶显示器（lcd）简单，且能达到轻、薄、高亮度以及反应速度快等优点，因此非常适合软性显示器应用。
然而，在可弯曲（flexible）amoled的商品化过程中，仍有数个关键问题尚待克服，包括基板材料、薄膜电晶体（tft）技术、封装技术，以及制程技术等，本文将分析这些关键问题的现况以及可能的解决方法。
可弯曲amoled原型陆续出笼
近几年来，可弯曲amoled技术快速发展，各大显示器厂商陆续推出验证可行的雏型品（prototype）。以乐金显示（lgd）为例，在2007年该公司采用不锈钢薄板为基板，并以金属氧化物薄膜电晶体（motft）技术来制造该公司的am背板，开发出3.5寸可弯曲amoled的雏型品。
2010年索尼（sony）采用pes或pen的塑胶基板，搭配有机薄膜电晶体（otft）所构成的am背板，制造出可弯曲amoled显示器，其卷曲半径可达4毫米（mm），且于十万次卷曲后，仍能保持影像品质。
在***方面，工研院亦验证出6寸的可弯曲amoled显示器，基板为改质的透明且可耐高温的pi塑胶基板，控制阵列采用非晶硅薄膜电晶体，制程方面则是将pi基板贴合于玻璃板上，再采用硬式元件的加工程序。
三星（samsung）同样使用pi基板，但是制程上系将液态pi软性涂料涂布于玻璃上，然后再于玻璃上制作低温多晶硅（low temperature poly-silicon， ltps）的薄膜电晶体，完成4.5寸全彩（800×480）的可弯曲amoled。
商品化面临四大挑战
虽然目前可弯曲amoled技术已蓬勃发展，然而，实际商品化仍面临许多障碍，其中可归纳出以下四个关键问题。
软性基板材质要求高
可弯曲amoled应用对软性基板性质的要求，包括高阻水氧能力（避免显示器与水氧反应而劣化）、高光穿透度（可适用于下发光式显示器）、高耐化性（避免基板受amoled制程的溶剂与反应气体影响）、高耐温性（避免基板受amoled的加温制程破坏）、高机械强度（耐冲击性与耐挠曲性）、低热膨胀系数（避免基板于amoled的加温制程中受热变形）及轻量化等。
目前主要有三种软性基板可供可弯曲amoled使用，分别为玻璃、金属箔及塑胶基板，主要性质的比较如表1所示，三种基板的现况与挑战分别详述如下。
易碎、不易变薄 玻璃基板应用居劣势
玻璃具有高阻水氧能力、高光穿透性、高耐化性及高耐温性等优点，但若欲达到可挠曲性，则厚度必须在100微米（μm）上下。
玻璃基板的问题在于机械性质与成本。在超薄厚度下，玻璃基板极易受外力撞击而碎裂；且因玻璃的刚脆本质，即使厚度超薄，可挠曲程度仍属有限。另外，超薄玻璃基板的制造需精密加工技术，成本难以压低。因此，若与其他软性基板材质相较，玻璃基板于可弯曲amoled的应用较居劣势，目前超薄软性玻璃基板供应商有旭硝子玻璃（asahi glass）及康宁（corning）等厂商。
制程复杂、成本高 金属箔基板适用性降低
金属箔基板具有高耐温性、高抗化性、高机械强度及高阻水氧能力等优点，金属材料中以不锈钢为目前使用最广的软性基板材料。不锈钢基板的缺点包括不透光（不适用于下发光式amoled）、重量大（不适于可携式显示器）、挠曲度尚可（不及塑胶基板）及成本略高等。
此外，因受机械加工程序影响，不锈钢基板表面的粗糙度，远大于显示器应用的所需，因此必须研磨抛光或于表面涂布一层平坦层后，才能进行后续制程。并且，不锈钢基板为导体，无法绝缘其上的amoled元件，因此必须于其上添加一绝缘层。此等基板前处理程序使制程复杂度与制造成本大幅增加，降低金属箔基板于可弯曲amoled的适用性。
兼具多元优势 塑胶基板采用度最高
塑胶基板具有前两类基板难以抗衡的几种优点组合，包括低成本、高挠曲性、轻量化和高透光性等，因此为目前最广为使用的可弯曲amoled基板，也是可弯曲amoled未来商品化发展中，最具优势的基板材料。然而，塑胶基板仍有数项关键问题须克服，包括较差的热性质与较低的抗化性等。
热性质的问题可分为两方面，分别为热膨胀与耐热性。塑胶基板的热膨胀系数约60？70ppm/℃，远大于一般无机材料约5ppm/℃，而面板制程中含有多道无机材料薄膜的沉积制程，例如前段制程中的tft元件制程，因此极易因热膨胀系数差异过大，导致塑胶基板的变形或弯曲，甚至造成无机薄膜剥落等问题。
此外，面板制程中通常包含高温制程，例如tft制程约250？300℃，而多数塑胶基板的软化温度在该温度之下，因此造成基板材料选用的限制。在抗化性方面，塑胶基板易受面板制程中所使用的有机或腐蚀溶剂侵蚀，影响后续制程设计的弹性。
表2为数种主要塑胶基板材料热性质、光穿透度与抗化性的比较。由表中资料可知，主要塑胶基板材料中，以pet与pen的综合性质较佳；此二种基板系于成膜过程中，施以双轴应力而大幅提高结晶度，使其软化温度提高、热膨胀系数下降且抗化性增强。
若欲更进一步改善塑胶基板的热性质与抗化性，除持续开发性质较佳的高分子材料外，亦可利用现有高玻璃转化温度（tg）的塑胶基板材料，经由化学改质调控表面性质或机械加工调控结晶度，使热膨胀系数降低，耐热性提高。
薄膜电晶体四大技术各具优缺点
amoled控制阵列所使用的薄膜电晶体，主要可分为四个技术（表3）。首先是非晶硅薄膜电晶体（amorphous silicon tft），非晶硅tft具备均匀度佳、可大面积生产和制程成本低等优点，且其制程温度低，仅约为200？370℃，因此是目前液晶显示器的主要技术。但非晶硅薄膜的载子迁移率（mobility）多小于0.5cm2/vs，且元件在bias-stress的情况下稳定度差，难以符合amoled所需的高更新速度，以及驱动电流的稳定度，因此于amoled应用上较不利。
其次是低温多晶硅tft，由非晶硅薄膜经雷射熔融结晶后制成，晶粒大小约为0.3？0.7微米（μm）。低温多晶硅tft的载子迁移率，可高达100cm2/vs，且元件稳定度高，足以符合amoled所需。
但是其缺点在于大面积成膜的均匀性不佳、制程设备成本高和制程温度高（400℃以上）等，其中尤以高制程温度限制ltps tft于可弯曲amoled的应用，因此开发可于400℃以下的技术，将是低温多晶硅tft主要的挑战。目前在这方面的进展，包括例如三星所验证的技术，其以镍金属微粒诱导硅薄膜侧向结晶，并搭配快速煺火制程技术，使制程温度大幅下降。
第三为有机tft（organic tft），系利用具共轭结构的小分子有机化合物或高分子制作的薄膜电晶体，优点为挠曲性佳、低温制程，以及可溶液涂布如roll-to-roll（r2r）制程等优点，被视为未来软性显示器的主要技术。有机tft技术的挑战在于技术成熟度低、载子迁移率低（小于5cm2/vs）、元件稳定性及可靠度不足等。
第四为金属氧化物tft（metal oxide tft），金属氧化物半导体系利用金属离子的s轨域互相重叠，形成载子传递路径，因此在非晶相即可达到高载子迁移率，也因此制程温度可远低于多晶硅tft，但仍可达到类似的高载子迁移率；由于非晶质结构，因此金属氧化物tft的制程均匀性佳，有利于大面积生产。
此外，金属氧化物亦可溶液涂布成膜，更增加制程的吸引力。目前最成熟的金属氧化物材料为铟镓锌氧化物（igzo），载子迁移率约为30cm2/vs、可低温制程，以及透光度极佳，可提高显示器元件的开口率，因此，非常适合可弯曲amoled的应用。
金属氧化物tft的挑战，在于元件稳定度与载子迁移率难以兼顾以及缺乏可行的p-type材料等；目前两方面的持续研发，包括藉由ar电浆处理增加tft元件载子迁移率、掺杂zr原子改善tft元件稳定性及开发snox为p-type tft等。
封装技术助攻 oled元件使用寿命大增
oled中的有机半导体材料及低功函数电极极易受氧气与水气劣化，因此oled元件的使用寿命一直是商品化过程中的一大挑战，必须利用有效的封装技术来阻绝水气与氧气的侵入，才能达到足够的元件稳定性。
传统的封装方法，是使用玻璃盖板加上uv胶与吸湿剂来封装oled元件，此方法虽能有效延长元件寿命，但制作成本高，且玻璃盖板不具有可挠曲性，因此无法满足可弯曲amoled显示器的要求。
为使封装后的可弯曲元件仍保用可挠性，采用阻气薄膜包覆元件的薄膜封装技术为必行途径。除封装外，可弯曲amoled若是使用塑胶基板，因为塑胶基板的阻水氧能力极差，因此在基板表面也须镀上阻气薄膜。
在高阻气性、可挠性薄膜的开发上，2003年vitex提出利用有机薄膜/无机薄膜多层反覆堆叠而成的阻气薄膜，其中无机薄膜为主要阻气层，有机薄膜则提供分离（decouple）相邻两层无机薄膜中的缺陷及应力缓冲的功能。
此多层结构薄膜可达到水气穿透率（water vapor transmission rate， wvtr）至1×10-6g/m2/day范围，已达oled元件商品化的需求；此技术于amoled的实际应用，已由三星验证成功。
有机/无机多层阻气薄膜技术虽有效，但缺点在于制程复杂繁琐，实用性较低。为解决此问题，阻气薄膜技术的新趋势为零缺陷单层无机薄膜，透过消除薄膜缺陷，使单层无机薄膜在超薄厚度之下，即可符合oled封装的需求，且因薄膜厚度超薄，亦能达到相当的可挠性。
零缺陷单层无机阻气膜，可利用原子层沉积技术（atomic layer deposition， ald）来实现，例如park等人以100奈米（nm）的pecvd sinx薄膜，加上30奈米的ald al2o3薄膜封装oled，封装后经260小时于室温大气下以1300cd/m2的亮度操作，可使元件维持原有91%的亮度。groner等人亦利用ald于pi及pet基板上制备al2o3阻气薄膜，发现26奈米的ald薄膜则可达到10-6g/m2/day范围的wvtr值，并可承受曲率半径为2公分的挠曲，仍保持wvtr值不变。
笔者团队也成功开发利用ald奈米复合薄膜的可弯曲有机太阳能电池之封装技术。ald制程温度低（《100℃）、具有极佳的大面积镀膜均匀性、可于低真空或大气之下操作，且目前已有非真空roll-to-roll连续制程prototype机台，因此是极有潜力的可弯曲amoled封装技术。
可弯曲amoled拼商用 长、短期制程发展重心不同
可弯曲amoled的制程技术发展，可分为短程与长程两种规画。
短程规画系套用目前硬式amoled面板的sheet-to-sheet（s2s）量产制程，藉由硬式面板制程的成熟度，加快可弯曲面板商品化步伐。长程规画则是以roll-to-roll且全溶液、非真空制程为目标，以实现低成本制造可弯曲amoled的理想。
在短程规画方面，图1为硬式amoled面板的制造流程，其中tft阵列背板乃是采用化学与物理气相沉积法，于玻璃基板上沉积半导体与导体薄膜，再利用微影技术搭配蚀刻方式制备元件各部的细微图样。
有机发光材料则以蒸镀方式沉积，搭配金属遮罩，达到rgb三色画素的定位，其中金属遮罩对位精准度需达±5微米；元件封装则是采用玻璃盖板，加上封装胶的传统封装方式。
上述制程若欲直接套用于软性面板上仍有两项困难；其一，塑胶基板的耐温性远低于玻璃基板，因此在沉积tft半导体薄膜时，必须开发低温沉积却仍可达到高载子迁移率的技术，如雷射快速煺火技术、金属氧化物半导体薄膜和有机半导体薄膜等。
其次，塑胶基板的尺寸易于高温制程中，或是制程溶剂膨润下产生大幅改变，导致元件各层的对位精准度不足。若将塑胶基板贴附于玻璃上进行制程，则可减少基板尺寸的改变，但其根本的解决之道仍是在于基板性质的改良。
在长程规画方面，目前可弯曲amoled制程各主要步骤皆已有roll-to-roll的验证，包括roll-to-roll溅镀与蒸镀（导电层、介电层及有机层沉积）、roll-to-roll化学沉积（半导体薄膜沉积）、roll-to-roll微影（元件各部图样化）、roll-to-roll涂布与喷涂（各层材料的溶液涂布与图样化）、roll-to-roll薄膜封装等。
然而，多数roll-to-roll步骤的效果，距离商品化所需水准仍有一段差距，且其加工面积仍远小于硬式面板制程的能力，尤以溶液制程为着。原因除roll-to-roll设备的技术尚未成熟外，亦受到材料性质尚未最佳化，以及喷涂（喷墨、网印和压印等）图样化精准度不佳的两大限制。
因此，在roll-to-roll制程开发上，除了设备之持续开发，各种新颖材料与图样化技术包括可涂布式金属氧化物半导体、可涂布式有机半导体、可涂布式导电薄膜、可涂布式有机发光材料、非真空式薄膜封装技术和自组装技术等，将是决定性的关键。
传蔚来汽车将进一步裁员，比例扩大至20%~30%
用单片机I/0口做按键输入实验
英特尔开发SDI II知识产权（IP）核支持多种SDI变体和数据速率
中科院杨裕生院士：靠补贴发展电动汽车是一剂毒药
亮相BTF 2023，康耐视机器视觉赋能动力电池制造
材料与工艺突破在望，可弯曲AMOLED量产在即？
智能网联汽车模拟仿真测试（上） ——企业模拟仿真测试能力建设
电磁干扰的产生机理 开关电源产生干扰的原因
如何进行零点补正？螺旋测微器的原理是什么？
信号完整性分析基础系列之关于眼图测量(上)
Nexperia正式启动全新达拉斯设计中心
使用RealSense D455的空间识别操作myCobot
苹果新款Macbook Pro，Touch Bar取代了原有的功能键
中国仪器仪表产业发展现状分析
电池片现阶段性短缺 光伏辅料盈利或将改善
三星GalaxyNote10有哪些值得期待的地方
水牙线好用吗，洁碧和它备受欢迎
2015科技公司收购大盘点 潜在商机即将爆发
Intel 710企业级固态硬盘的优势及应用
物联网如何影响我们工作的世界和地方
主动式有机发光二极体显示器（active matrix organic light-emitting diode display， amoled）属于自发光的显示技术，结构较使用背光源的液晶显示器（lcd）简单，且能达到轻、薄、高亮度以及反应速度快等优点，因此非常适合软性显示器应用。
然而，在可弯曲（flexible）amoled的商品化过程中，仍有数个关键问题尚待克服，包括基板材料、薄膜电晶体（tft）技术、封装技术，以及制程技术等，本文将分析这些关键问题的现况以及可能的解决方法。
可弯曲amoled原型陆续出笼
近几年来，可弯曲amoled技术快速发展，各大显示器厂商陆续推出验证可行的雏型品（prototype）。以乐金显示（lgd）为例，在2007年该公司采用不锈钢薄板为基板，并以金属氧化物薄膜电晶体（motft）技术来制造该公司的am背板，开发出3.5寸可弯曲amoled的雏型品。
2010年索尼（sony）采用pes或pen的塑胶基板，搭配有机薄膜电晶体（otft）所构成的am背板，制造出可弯曲amoled显示器，其卷曲半径可达4毫米（mm），且于十万次卷曲后，仍能保持影像品质。
在***方面，工研院亦验证出6寸的可弯曲amoled显示器，基板为改质的透明且可耐高温的pi塑胶基板，控制阵列采用非晶硅薄膜电晶体，制程方面则是将pi基板贴合于玻璃板上，再采用硬式元件的加工程序。
三星（samsung）同样使用pi基板，但是制程上系将液态pi软性涂料涂布于玻璃上，然后再于玻璃上制作低温多晶硅（low temperature poly-silicon， ltps）的薄膜电晶体，完成4.5寸全彩（800×480）的可弯曲amoled。
商品化面临四大挑战
虽然目前可弯曲amoled技术已蓬勃发展，然而，实际商品化仍面临许多障碍，其中可归纳出以下四个关键问题。
软性基板材质要求高
可弯曲amoled应用对软性基板性质的要求，包括高阻水氧能力（避免显示器与水氧反应而劣化）、高光穿透度（可适用于下发光式显示器）、高耐化性（避免基板受amoled制程的溶剂与反应气体影响）、高耐温性（避免基板受amoled的加温制程破坏）、高机械强度（耐冲击性与耐挠曲性）、低热膨胀系数（避免基板于amoled的加温制程中受热变形）及轻量化等。
目前主要有三种软性基板可供可弯曲amoled使用，分别为玻璃、金属箔及塑胶基板，主要性质的比较如表1所示，三种基板的现况与挑战分别详述如下。
易碎、不易变薄 玻璃基板应用居劣势
玻璃具有高阻水氧能力、高光穿透性、高耐化性及高耐温性等优点，但若欲达到可挠曲性，则厚度必须在100微米（μm）上下。
玻璃基板的问题在于机械性质与成本。在超薄厚度下，玻璃基板极易受外力撞击而碎裂；且因玻璃的刚脆本质，即使厚度超薄，可挠曲程度仍属有限。另外，超薄玻璃基板的制造需精密加工技术，成本难以压低。因此，若与其他软性基板材质相较，玻璃基板于可弯曲amoled的应用较居劣势，目前超薄软性玻璃基板供应商有旭硝子玻璃（asahi glass）及康宁（corning）等厂商。
制程复杂、成本高 金属箔基板适用性降低
金属箔基板具有高耐温性、高抗化性、高机械强度及高阻水氧能力等优点，金属材料中以不锈钢为目前使用最广的软性基板材料。不锈钢基板的缺点包括不透光（不适用于下发光式amoled）、重量大（不适于可携式显示器）、挠曲度尚可（不及塑胶基板）及成本略高等。
此外，因受机械加工程序影响，不锈钢基板表面的粗糙度，远大于显示器应用的所需，因此必须研磨抛光或于表面涂布一层平坦层后，才能进行后续制程。并且，不锈钢基板为导体，无法绝缘其上的amoled元件，因此必须于其上添加一绝缘层。此等基板前处理程序使制程复杂度与制造成本大幅增加，降低金属箔基板于可弯曲amoled的适用性。
兼具多元优势 塑胶基板采用度最高
塑胶基板具有前两类基板难以抗衡的几种优点组合，包括低成本、高挠曲性、轻量化和高透光性等，因此为目前最广为使用的可弯曲amoled基板，也是可弯曲amoled未来商品化发展中，最具优势的基板材料。然而，塑胶基板仍有数项关键问题须克服，包括较差的热性质与较低的抗化性等。
热性质的问题可分为两方面，分别为热膨胀与耐热性。塑胶基板的热膨胀系数约60？70ppm/℃，远大于一般无机材料约5ppm/℃，而面板制程中含有多道无机材料薄膜的沉积制程，例如前段制程中的tft元件制程，因此极易因热膨胀系数差异过大，导致塑胶基板的变形或弯曲，甚至造成无机薄膜剥落等问题。
此外，面板制程中通常包含高温制程，例如tft制程约250？300℃，而多数塑胶基板的软化温度在该温度之下，因此造成基板材料选用的限制。在抗化性方面，塑胶基板易受面板制程中所使用的有机或腐蚀溶剂侵蚀，影响后续制程设计的弹性。
表2为数种主要塑胶基板材料热性质、光穿透度与抗化性的比较。由表中资料可知，主要塑胶基板材料中，以pet与pen的综合性质较佳；此二种基板系于成膜过程中，施以双轴应力而大幅提高结晶度，使其软化温度提高、热膨胀系数下降且抗化性增强。
若欲更进一步改善塑胶基板的热性质与抗化性，除持续开发性质较佳的高分子材料外，亦可利用现有高玻璃转化温度（tg）的塑胶基板材料，经由化学改质调控表面性质或机械加工调控结晶度，使热膨胀系数降低，耐热性提高。
薄膜电晶体四大技术各具优缺点
amoled控制阵列所使用的薄膜电晶体，主要可分为四个技术（表3）。首先是非晶硅薄膜电晶体（amorphous silicon tft），非晶硅tft具备均匀度佳、可大面积生产和制程成本低等优点，且其制程温度低，仅约为200？370℃，因此是目前液晶显示器的主要技术。但非晶硅薄膜的载子迁移率（mobility）多小于0.5cm2/vs，且元件在bias-stress的情况下稳定度差，难以符合amoled所需的高更新速度，以及驱动电流的稳定度，因此于amoled应用上较不利。
其次是低温多晶硅tft，由非晶硅薄膜经雷射熔融结晶后制成，晶粒大小约为0.3？0.7微米（μm）。低温多晶硅tft的载子迁移率，可高达100cm2/vs，且元件稳定度高，足以符合amoled所需。
但是其缺点在于大面积成膜的均匀性不佳、制程设备成本高和制程温度高（400℃以上）等，其中尤以高制程温度限制ltps tft于可弯曲amoled的应用，因此开发可于400℃以下的技术，将是低温多晶硅tft主要的挑战。目前在这方面的进展，包括例如三星所验证的技术，其以镍金属微粒诱导硅薄膜侧向结晶，并搭配快速煺火制程技术，使制程温度大幅下降。
第三为有机tft（organic tft），系利用具共轭结构的小分子有机化合物或高分子制作的薄膜电晶体，优点为挠曲性佳、低温制程，以及可溶液涂布如roll-to-roll（r2r）制程等优点，被视为未来软性显示器的主要技术。有机tft技术的挑战在于技术成熟度低、载子迁移率低（小于5cm2/vs）、元件稳定性及可靠度不足等。
第四为金属氧化物tft（metal oxide tft），金属氧化物半导体系利用金属离子的s轨域互相重叠，形成载子传递路径，因此在非晶相即可达到高载子迁移率，也因此制程温度可远低于多晶硅tft，但仍可达到类似的高载子迁移率；由于非晶质结构，因此金属氧化物tft的制程均匀性佳，有利于大面积生产。
此外，金属氧化物亦可溶液涂布成膜，更增加制程的吸引力。目前最成熟的金属氧化物材料为铟镓锌氧化物（igzo），载子迁移率约为30cm2/vs、可低温制程，以及透光度极佳，可提高显示器元件的开口率，因此，非常适合可弯曲amoled的应用。
金属氧化物tft的挑战，在于元件稳定度与载子迁移率难以兼顾以及缺乏可行的p-type材料等；目前两方面的持续研发，包括藉由ar电浆处理增加tft元件载子迁移率、掺杂zr原子改善tft元件稳定性及开发snox为p-type tft等。
封装技术助攻 oled元件使用寿命大增
oled中的有机半导体材料及低功函数电极极易受氧气与水气劣化，因此oled元件的使用寿命一直是商品化过程中的一大挑战，必须利用有效的封装技术来阻绝水气与氧气的侵入，才能达到足够的元件稳定性。
传统的封装方法，是使用玻璃盖板加上uv胶与吸湿剂来封装oled元件，此方法虽能有效延长元件寿命，但制作成本高，且玻璃盖板不具有可挠曲性，因此无法满足可弯曲amoled显示器的要求。
为使封装后的可弯曲元件仍保用可挠性，采用阻气薄膜包覆元件的薄膜封装技术为必行途径。除封装外，可弯曲amoled若是使用塑胶基板，因为塑胶基板的阻水氧能力极差，因此在基板表面也须镀上阻气薄膜。
在高阻气性、可挠性薄膜的开发上，2003年vitex提出利用有机薄膜/无机薄膜多层反覆堆叠而成的阻气薄膜，其中无机薄膜为主要阻气层，有机薄膜则提供分离（decouple）相邻两层无机薄膜中的缺陷及应力缓冲的功能。
此多层结构薄膜可达到水气穿透率（water vapor transmission rate， wvtr）至1×10-6g/m2/day范围，已达oled元件商品化的需求；此技术于amoled的实际应用，已由三星验证成功。
有机/无机多层阻气薄膜技术虽有效，但缺点在于制程复杂繁琐，实用性较低。为解决此问题，阻气薄膜技术的新趋势为零缺陷单层无机薄膜，透过消除薄膜缺陷，使单层无机薄膜在超薄厚度之下，即可符合oled封装的需求，且因薄膜厚度超薄，亦能达到相当的可挠性。
零缺陷单层无机阻气膜，可利用原子层沉积技术（atomic layer deposition， ald）来实现，例如park等人以100奈米（nm）的pecvd sinx薄膜，加上30奈米的ald al2o3薄膜封装oled，封装后经260小时于室温大气下以1300cd/m2的亮度操作，可使元件维持原有91%的亮度。groner等人亦利用ald于pi及pet基板上制备al2o3阻气薄膜，发现26奈米的ald薄膜则可达到10-6g/m2/day范围的wvtr值，并可承受曲率半径为2公分的挠曲，仍保持wvtr值不变。
笔者团队也成功开发利用ald奈米复合薄膜的可弯曲有机太阳能电池之封装技术。ald制程温度低（《100℃）、具有极佳的大面积镀膜均匀性、可于低真空或大气之下操作，且目前已有非真空roll-to-roll连续制程prototype机台，因此是极有潜力的可弯曲amoled封装技术。
可弯曲amoled拼商用 长、短期制程发展重心不同
可弯曲amoled的制程技术发展，可分为短程与长程两种规画。
短程规画系套用目前硬式amoled面板的sheet-to-sheet（s2s）量产制程，藉由硬式面板制程的成熟度，加快可弯曲面板商品化步伐。长程规画则是以roll-to-roll且全溶液、非真空制程为目标，以实现低成本制造可弯曲amoled的理想。
在短程规画方面，图1为硬式amoled面板的制造流程，其中tft阵列背板乃是采用化学与物理气相沉积法，于玻璃基板上沉积半导体与导体薄膜，再利用微影技术搭配蚀刻方式制备元件各部的细微图样。
有机发光材料则以蒸镀方式沉积，搭配金属遮罩，达到rgb三色画素的定位，其中金属遮罩对位精准度需达±5微米；元件封装则是采用玻璃盖板，加上封装胶的传统封装方式。
上述制程若欲直接套用于软性面板上仍有两项困难；其一，塑胶基板的耐温性远低于玻璃基板，因此在沉积tft半导体薄膜时，必须开发低温沉积却仍可达到高载子迁移率的技术，如雷射快速煺火技术、金属氧化物半导体薄膜和有机半导体薄膜等。
其次，塑胶基板的尺寸易于高温制程中，或是制程溶剂膨润下产生大幅改变，导致元件各层的对位精准度不足。若将塑胶基板贴附于玻璃上进行制程，则可减少基板尺寸的改变，但其根本的解决之道仍是在于基板性质的改良。
在长程规画方面，目前可弯曲amoled制程各主要步骤皆已有roll-to-roll的验证，包括roll-to-roll溅镀与蒸镀（导电层、介电层及有机层沉积）、roll-to-roll化学沉积（半导体薄膜沉积）、roll-to-roll微影（元件各部图样化）、roll-to-roll涂布与喷涂（各层材料的溶液涂布与图样化）、roll-to-roll薄膜封装等。
然而，多数roll-to-roll步骤的效果，距离商品化所需水准仍有一段差距，且其加工面积仍远小于硬式面板制程的能力，尤以溶液制程为着。原因除roll-to-roll设备的技术尚未成熟外，亦受到材料性质尚未最佳化，以及喷涂（喷墨、网印和压印等）图样化精准度不佳的两大限制。
因此，在roll-to-roll制程开发上，除了设备之持续开发，各种新颖材料与图样化技术包括可涂布式金属氧化物半导体、可涂布式有机半导体、可涂布式导电薄膜、可涂布式有机发光材料、非真空式薄膜封装技术和自组装技术等，将是决定性的关键。
传蔚来汽车将进一步裁员，比例扩大至20%~30%
用单片机I/0口做按键输入实验
英特尔开发SDI II知识产权（IP）核支持多种SDI变体和数据速率
中科院杨裕生院士：靠补贴发展电动汽车是一剂毒药
亮相BTF 2023，康耐视机器视觉赋能动力电池制造
材料与工艺突破在望，可弯曲AMOLED量产在即？
智能网联汽车模拟仿真测试（上） ——企业模拟仿真测试能力建设
电磁干扰的产生机理 开关电源产生干扰的原因
如何进行零点补正？螺旋测微器的原理是什么？
信号完整性分析基础系列之关于眼图测量(上)
Nexperia正式启动全新达拉斯设计中心
使用RealSense D455的空间识别操作myCobot
苹果新款Macbook Pro，Touch Bar取代了原有的功能键
中国仪器仪表产业发展现状分析
电池片现阶段性短缺 光伏辅料盈利或将改善
三星GalaxyNote10有哪些值得期待的地方
水牙线好用吗，洁碧和它备受欢迎
2015科技公司收购大盘点 潜在商机即将爆发
Intel 710企业级固态硬盘的优势及应用
物联网如何影响我们工作的世界和地方