国际整流器公司IGBT技术平台强攻工业市场
国际整流器（ir）推出新一代绝缘闸双极电晶体（igbt）技术平台。全新第八代（gen8） 1200伏特（v）igbt技术平台利用ir新一代沟道闸极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越的性能。
崭新的gen8设计让顶尖的vce（on）能减少功耗，增加功率密度，以及提供超卓的耐用性。国际整流器亚太区销售副总裁潘大伟表示，该公司透过开发全新基准技术及顶尖的igbt矽平台，彰显在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。国际整流器期望为所有电动马达提供百分百变频，借以更有效使用电能，并且绿化环境。
新技术针对马达驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt减到最低，从而减少电磁干扰和过压，以提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较狭窄，在高电流功率模组内并联起多个igbt之时，可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善热阻和达到175℃的最高结温。
潘大伟指出，国际整流器的gen8 igbt平台凭借最佳的vce（on）、耐用性及开关功能，能让工业市场厂商所面对的艰巨难题迎刃而解。
关于igbt：
igbt（insulated gate bipolar transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由bjt（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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