下一代EUV***长啥样？
asml 首席商务官 (cbo) christophe fouquet 在比利时 imec 的年度盛会 itf world 2023 上发表了题为“extending lithography into the 2030s to support the world-changing semiconductor industry”的演讲。他发表演讲并强调需要2030年代开发na=0.75的超高na euv曝光技术的必要性。
他描述了自 2010 年代以来（包括未来预测）需要通过曝光和 epe（edge placement error：衡量光刻胶图像的边缘与所需位置的距离）来解决的金属布线间距的变化。并表明金属间距在 2020 年代之前的六年中一直以 50% 的速度收缩，但这种速度可能会在 2030 年代放缓并达到饱和（下图）。到目前为止，节点名称（晶圆厂用来宣传小型化的数字；下图底部绿色显示的数字）和最小金属布线的线宽是一致的，但最近出现了较大的分歧。
asml 计划在 2023 年底前出货首个商用high na（na=0.55）euv 曝光系统（用于原型制作），并于 2025 年开始出货量产设备。因此，从 2025 年左右开始，客户将能够从使用 na=0.33 的传统 euv 光刻工具的多重图案化切换到使用high na euv 光刻工具的单一图案化，从而降低工艺成本并提高产量。据说这将是可能的。
high na机器的光源是在加州圣地亚哥开发的，分划板是在美国康涅狄格州威尔顿开发的，光学系统是在德国奥伯科亨开发的，据说有预计入驻总公司“imec-asml high na lab”的五大客户（intel、tsmc、samsung electronics、sk hynix、micron technology），将可早日接触到high na机器。lam research、kla、hmi 和 jsr，以及提供镀膜机/显影剂（清洁轨道）的 tokyo electron 正在合作操作该实验室的high na euv 曝光设备。
euv 曝光用光源的输出功率一直在稳步增加，传统型号为 250w 至 300w，最新型号 3600d 的功率增加到 350w。在研究层面，已经做到了600w，未来800w指日可待。
fouquet先生说，“在2030年代，使用high na euv设备的多重图案将与单一图案一起完成，以提高良率，并降低工艺成本，将需要更高na的 euv曝光设备（na=0.75）。他指出通过 duv（干法）、arf（浸渍法）、euv 和high na euv 曝光技术形成图案的每个晶体管的成本将发生变化。考虑到high-na euv的价格高于euv曝光设备，每台已经价值数亿美元，hyper na euv的开发取决于客户的要求和开发成本客户。
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