TI推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET
ti推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率mosfet
日前，德州仪器 (ti) 宣布面向高电流 dc/dc 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 mosfet 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，dualcool™ nexfet™ 功率 mosfet 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将mosfet允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 nexfet 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 mosfet 可广泛用于各种终端应用，其中包括台式个人计算机、服务器、电信或网络设备、基站以及高电流工业系统等。
ti 高级副总裁兼电源管理全球经理 steve anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 dc/dc 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。dualcool nexfet 功率 mosfet 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”
dualcool nexfet 功率 mosfet 的主要特性与优势：
· 作为单相35a 同步降压转换器的 mosfet， 采用一个 mosfet 即可满足高电流 dc/dc 应用中的高、低侧两种开关需求;
· 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15°c/每瓦降至1.2°c/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%;
· 高效的双面散热技术可将允许通过 fet 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器;
· 业界标准 5 毫米 x 6 毫米 son 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5x6封装相比，可节省 30mm2的空间。
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ti 高级副总裁兼电源管理全球经理 steve anderson 指出：“我们的客户需要具有更小体积和更高电流的 dc/dc 电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。dualcool nexfet 功率 mosfet 能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足这一需求。”
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· 增强型封装技术可将封装顶部热阻从10 ~ 15°c/每瓦降至1.2°c/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升 80%;
· 高效的双面散热技术可将允许通过 fet 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器;
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