中国车企首次自建碳化硅生产线
碳化硅（sic）电力电子器件将替代igbt——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。而比亚迪已经开始布局。
据国内媒体报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的igbt已经走到5代，碳化硅mosfet已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建sic产线，预计到明年有自己的产线。
提到sic大家可能有些陌生，碳化硅（sic）其实是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年开始大规模生产，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅。
而在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用igbt（绝缘栅双极型晶体管芯片），但特斯拉、比亚迪已经在 model 3、汉ev车型上开始使用sic mosfet（碳化硅功率场效应晶体管）。
值得一提的是，汉ev也是国内首款批量搭载sic mosfet组件的车型。
相比于igbt，碳化硅（sic）是一个更先进的做控制器的电力电子芯片，频率、效率可以做到很高，体积可以非常小。
研究显示，sic的功率损耗较igbt下降了87%。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出，仅仅是将igbt替换为sic，就可提高整车续航里程10%左右，这对于极其在意续航能力的电动车来说受益匪浅。
比亚迪在半导体行业布局较早，早在2005年就成立了igbt团队，并于2009年推出首款自主研发igbt芯片，打破国外企业的技术垄断。
目前，比亚迪已研发出sic mosfet。按照计划比亚迪公布的计划，预计到2023年，其旗下电动车将实现碳化硅功率半导体igbt的全面替代，整车性能在现有基础上再提升10％。
责编ajx
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