EVM对系统性能的影响
evm与调变阶数
由上表可以知道 调变越高阶 其evm的要求越严格
这是因为 调变越高阶的信号 在传送过程中 越容易被噪声干扰
以下图为例 假设你射飞镖 请问哪张图比较容易射中?
很明显是右图 对吧?
所以 才需要更严格的evm规格 确保信息的调变精确度
影响evm的要素
一般而言 会让evm变差的 有以下因素[1]:
其实还有一点 那就是反馈路径 由下图可知
目前诸多前端模块 都有反馈路径
倘若反馈路径受到干扰 或是阻抗离50欧姆太远
其am-am会受到影响 进而影响evm性能
evm的两个维度
evm vs time
由[1]可知道 若振幅在某时间点大幅变化 则该时间点的evm也会
比其他时间点来得高 由下图可知[4] 以wifi为例 因为是分时多任务
其波形为burst mode 故在rising/falling时 其振幅变化最大
这也是为何evm在头尾的时间点 会比中间段时间点来得高
呈现”u”字形
evm vs power
同evm vs time的图一样 也是”u”字形
因为evm跟snr成反比
因此我们朝
“为何snr在小功率与大功率时 会特别低”
就可以理解清楚了
小功率时 因为讯号较微弱 容易受到噪声影响
故snr会偏低 则evm偏高
大功率时 则是因为可能会因为饱和 而导致诸多非线性效应诞生
使其noise floor会严重上涨 故snr下降 evm偏高
evm在小功率时 变差的影响因素
针对小功率时的evm 我们举两项
前述会让evm变差的因素来说明
一项是carrier feedthrough 或称lo leakage
另一项是phase noise
下图是零中频发射器的架构图
其rf讯号 是由基频讯号 与lo讯号 混波得来
假设
rf = lo – bb
那么我们得知 会有三项 我们不需要的噪声
lo + bb
lo
dc component
rf = lo – bb 我们称为lsb (lower sideband)
是我们需要的讯号
但混波过程中 也会有lo + bb的产物
称为usb (upper sideband) 是噪声
以及lo信号 直接泄漏到混波器输出端
该产物称为carrier 也是噪声
另外 在iq讯号 尚未升频时 若挟带直流讯号
该直流讯号 会跟着iq讯号一并升频 最终出现在频谱上
该产物亦称为carrier 也是噪声
而这三个产物 由于都离基频跟rf讯号太近
几乎无法靠硬件滤掉 只能靠软件的算法
加以抑制 称为sideband suppression
以及carrier suppression
我们看下图
当小功率时 其carrier leakage 甚至会比讯号还大
其snr肯定不好 连带evm就飙升
再来是phase noise影响
由上图可知 phase noise会让noise floor上涨
该影响在小功率时特别明显 因为snr会显著下降
故evm会飙升
evm的迭加计算
由上述公式可知 最终量到的evm 其实是由发射路径上
每个组件的evm 最终加总得到
因此结合前面所说 收发器的输出rf讯号 因为讯号较微弱
故容易受到噪声影响 例如phase noise或carrier feedthrough
使得evm飙高
而此时再经过pa的贡献后 最终量到的evm 肯定不好
因此 evm不好时 除了怀疑pa之外
更需要确认 是不是收发器输出rf讯号的evm 就已经不好了
确认的方法 可以直接外灌讯号给pa
倘若单独量pa 量出来为-40db
而板子上量到的 为-35db
那表示收发器出来的evm 为-36.65db
故此时要改善的目标 其实是收发器 而非pa
当然 量测前 也要注意仪器本身的evm
因为也会列入量测evm值的计算
换言之 有可能单独pa量出来的evm很高
主因是仪器的evm高 而非pa本身evm高
一般来讲 仪器本身的evm 要低于待测物 5db ~ 10db
才不会影响到待测物 自身量出来的evm[1]
工控机产业的发展现状以及未来趋势
基于AKM Semiconductor 的音频编码器优化方案
大数据改变的五大行业
超级电容器模组的特点与优势
曝华为囤积了200万个索尼IMX989传感器 P70 Art将搭载，传感器企业灿瑞科技荣获首批上海市创新型企业总部授牌
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交流设备中的电源控制
智能家电控制的优点
如何获得高质量的晶面作为激光器震荡用的腔面
地平线与合作伙伴通力协作促成企业的生态合作与共创共赢
镀层测厚仪工作原理
一文解析测试测量的微波信号源技术
Virtuoso中使用skill脚本实现不同pdk的替换
印刷电路板的焊接工艺及详细焊接流程介绍
基于arm的指纹识别门禁系统是如何设计的
卡西欧创新型可拆卸自由式相机采用赛普拉斯触摸屏控制器及MoBL SRAM
KEITHLEY吉时利2304直流电源20V
基于GNU Radio 的多速率、多种调制方式、多信道的软件无线电主站电台设计
本田CR-V刚上市,又将推出CR-V的“哥哥”BR-V,大7座配四驱系统
由上表可以知道 调变越高阶 其evm的要求越严格
这是因为 调变越高阶的信号 在传送过程中 越容易被噪声干扰
以下图为例 假设你射飞镖 请问哪张图比较容易射中?
很明显是右图 对吧?
所以 才需要更严格的evm规格 确保信息的调变精确度
影响evm的要素
一般而言 会让evm变差的 有以下因素[1]:
其实还有一点 那就是反馈路径 由下图可知
目前诸多前端模块 都有反馈路径
倘若反馈路径受到干扰 或是阻抗离50欧姆太远
其am-am会受到影响 进而影响evm性能
evm的两个维度
evm vs time
由[1]可知道 若振幅在某时间点大幅变化 则该时间点的evm也会
比其他时间点来得高 由下图可知[4] 以wifi为例 因为是分时多任务
其波形为burst mode 故在rising/falling时 其振幅变化最大
这也是为何evm在头尾的时间点 会比中间段时间点来得高
呈现”u”字形
evm vs power
同evm vs time的图一样 也是”u”字形
因为evm跟snr成反比
因此我们朝
“为何snr在小功率与大功率时 会特别低”
就可以理解清楚了
小功率时 因为讯号较微弱 容易受到噪声影响
故snr会偏低 则evm偏高
大功率时 则是因为可能会因为饱和 而导致诸多非线性效应诞生
使其noise floor会严重上涨 故snr下降 evm偏高
evm在小功率时 变差的影响因素
针对小功率时的evm 我们举两项
前述会让evm变差的因素来说明
一项是carrier feedthrough 或称lo leakage
另一项是phase noise
下图是零中频发射器的架构图
其rf讯号 是由基频讯号 与lo讯号 混波得来
假设
rf = lo – bb
那么我们得知 会有三项 我们不需要的噪声
lo + bb
lo
dc component
rf = lo – bb 我们称为lsb (lower sideband)
是我们需要的讯号
但混波过程中 也会有lo + bb的产物
称为usb (upper sideband) 是噪声
以及lo信号 直接泄漏到混波器输出端
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另外 在iq讯号 尚未升频时 若挟带直流讯号
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以及carrier suppression
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故evm会飙升
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由上述公式可知 最终量到的evm 其实是由发射路径上
每个组件的evm 最终加总得到
因此结合前面所说 收发器的输出rf讯号 因为讯号较微弱
故容易受到噪声影响 例如phase noise或carrier feedthrough
使得evm飙高
而此时再经过pa的贡献后 最终量到的evm 肯定不好
因此 evm不好时 除了怀疑pa之外
更需要确认 是不是收发器输出rf讯号的evm 就已经不好了
确认的方法 可以直接外灌讯号给pa
倘若单独量pa 量出来为-40db
而板子上量到的 为-35db
那表示收发器出来的evm 为-36.65db
故此时要改善的目标 其实是收发器 而非pa
当然 量测前 也要注意仪器本身的evm
因为也会列入量测evm值的计算
换言之 有可能单独pa量出来的evm很高
主因是仪器的evm高 而非pa本身evm高
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