asic设计服务暨ip研发销售厂商智原科技(faraday technology corporation,twse:3035)今日宣布与英飞凌合作推出sonos嵌入式闪存(eflash)平台于联电40纳米ulp制程。此平台包含新开发的eflash子系统ip及完整的eflash测试解决方案,具有容易整合、可快速存取闪存数据等优势,更可加速产品开发时程,协助客户更轻松地采用该闪存技术;并同时通过内置自检功能(bist)来简化sonos eflash测试,为客户提供扎实的质量优势。
为满足人工智能、智能电网、物联网和mcu等应用对40纳米低功耗及数据安全的eflash需求,智原联手英飞凌合作开发这套sonos eflash平台,主要包括闪存区块、控制器、以及新开发的eflash子系统ip。其中子系统ip整合总线接口电路与频率整合电路等,并提供自动完成eflash初始化、简化数据抹除与写入操作流程、以及对闪存的读写保护和模拟随机写入缓冲区等功能,协助客户轻易整合与使用sonos eflash ip。此外,内置bist的子系统只需采用一般的检测仪器做测试,确保闪存量产时的质量及可靠性,并可减少检测时间。
英飞凌内存解决方案部资深总监vineet agrawal表示:“我们很高兴与智原合作,为客户开发这套sonos eflash平台。40ulp sonos eflash在过去几年已交付许多量产项目,未来结合智原完善的ip子系统、多元的ip产品和测试解决方案,我们相信可以协助智原的客户加快拓展高性能和低功耗产品。”
智原科技营运长林世钦表示:“英飞凌的sonos eflash技术已在40纳米制程中获得多项市场应用的验证。通过英飞凌在联电40ulp sonos eflash的优势,相较其它市面上的eflash方案可使用更少的光罩层数而缩短生产周期。搭配此新平台和智原完全兼容于40ulp sonos eflash制程的丰富ip资源,可以进一步协助客户轻松实现新一代芯片设计的成本、功耗和性能需求。”
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