上海,2013年3月25日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出两款新型fram产品-mb85rs1mt 和 mb85rs2mt,两款产品分别带有1 mbit 和 2 mbit的存储器,是富士通半导体提供的最大容量的串口fram。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
图1:mb85rs1mt和mb85rs2mt
两款新型产品保证有10万亿次的读写次数,大约是现有芯片的10倍,适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与容量相同的eeprom相比,写入时可减少92%的功耗。另外,由于新款fram可以把所有系统存储器器件(主要包括eeprom、sram和用于保持数据的电池)所需的技术集成到单一芯片上,因此可大幅降低器件成本,占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备,使维修更加简易,因此不再需要备用电池。
fram具有两种特性:非易失性,即使关闭电源也能保存数据;随机存取,可以快速写入数据。即使发生突然电源故障和停电时,fram也可以安全存储正在写入的数据,所以可以在断电前保证立刻保护芯片信息和存储数据。凭借该能力,自从1999年量产后,富士通半导体的fram产品一直广泛应用于工业自动化设备、测量设备、银行终端以及医疗设备等。
作为对其fram 产品阵容的更新,富士通半导体最近开发了mb85rs1mt (1 mbit) 和 mb85rs2mt (2 mbit),这两款产品代表了公司迄今为止带有spi 串口的最高密度的fram产品。该系列产品读写次数提高到10万亿次,是富士通现行fram产品的10倍,因此可为实时连续数据记录提供更好的支持。
对于包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备(如助听器)-所有的这些设备都需要带串口的1-2 mbit 非易失存储器-现在可以使用富士通半导体的新型fram产品取代传统的eeprom。在快速写入方面的改善可以使性能更高,同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量,新产品比eeprom少消耗92%的电量,可以延长电池寿命。
展望未来,富士通半导体将继续提供解决方案,帮助客户提高终端产品的性能,促进客户现场设备的维护,并最大程度地降低风险。
图 2:读写次数比较
图 3:功耗比较
图 4:占板面积比较
样片发布日程
关于样片价格,请咨询当地销售代表。
关于富士通半导体(上海)有限公司
富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连、厦门、西安、青岛和武汉等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。
富士通半导体(上海)有限公司的产品包括专用集成电路(asic)、单片机(mcu)、专用标准产品(assp)/片上系统(soc)和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并应用于广泛领域。在技术支持方面,分布于上海、香港及成都的ic设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。欲了解更多信息,请访问网站:http://cn.fujitsu.com/fss。
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