单结晶体管的结构和等效电路
单结晶体管的结构和等效电路
单结晶体管的外形图如图1所示。在一个低掺杂的n型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂p区，在p区与n区接触面形成pn结，就构成单结晶体管(ujt)。其结构如图2(a)，p型半导体引出的电极为发射极e；n型半导体的两端引出两个电极，分别为基极b1和基极b2，b1和b2之间的n型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻rbb。该电阻的阻值随着发射极电流的变化而改变。单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。其符号如图2(b)所示。
图1 单结晶体管的外形图
单结晶体管的等效电路如图2(c)所示，发射极所接p区与n型硅棒形成的pn结等效为二极管d；n型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管阴极与基极b2之间的等效电阻为rb2，二极管阴极与基极b1之间的等效电阻为rb1；rb1的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
图2 单结晶体管的结构示意图和等效电路
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单结晶体管的外形图如图1所示。在一个低掺杂的n型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂p区，在p区与n区接触面形成pn结，就构成单结晶体管(ujt)。其结构如图2(a)，p型半导体引出的电极为发射极e；n型半导体的两端引出两个电极，分别为基极b1和基极b2，b1和b2之间的n型区域可以等效为一个纯电阻，即基区电阻rbb。该电阻的阻值随着发射极电流的变化而改变。单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。其符号如图2(b)所示。
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单结晶体管的等效电路如图2(c)所示，发射极所接p区与n型硅棒形成的pn结等效为二极管d；n型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管阴极与基极b2之间的等效电阻为rb2，二极管阴极与基极b1之间的等效电阻为rb1；rb1的阻值受e-b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。
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